新唐N76E003AT20现货替换料003F4P6

英尚微电子

该芯片使用增强型51内核，工作频率高达64兆赫兹，内置16K Bytes FLASH，1K Bytes SRAM，3个定时器，1个看门狗，1个SPI，1个I2C，2个UART，1个12Bit ，8通道ADC，1个10Bit DAC，2个模拟比较器。供电电压为2.7V至4.25V，工作温度-40℃至+85℃，支持4种工作模式，DPD模式功耗可低至0.5uA，提供TSSOP20封装，其内建高速SPI模块，高速I2C模块，用于低成本高性能的通信处理场合。英尚微电子可提供样品测试及必要的FAE技术支持。

003F4P6是针对高速IO应用的8位单片机宽电压，其内建高速SPI模块，高速I2C模块，用于低成本高性能的通信处理场合。内核采用集成增强型CPU模块，该CPU为单周期8位微控制器。它是一个全功能嵌入式微控制器，兼容所有ASM51指令和80C31指令；该结构的微控制器简化了总线状态，实现取指和执行同步进行；同时51实现了一个时钟周期就是一个机器周期的设计，相比传统的51每一个机器周期包含12个时钟周期，整体性能上大约有8倍的提升。

•高性能8Bit 内核
-8 Bit 1T增强型51内核，指令代码兼容标准51
-工作频率最高64MHz
-外设模块时钟为单独门控时钟，用户可以选择性关闭模块时钟以降低动态功耗；同时每个功能模块可以单独在ROM配置使能信号
-支持共13个中断发生源，4级中断优先级控制
•存储器
-片上集成256 Bytes SRAM作为内部数据存储区
-片上集成1KBytes XSRAM作为扩展数据存储区，同时也可以作为程序运行。
-片上集成最大16K Bytes FLASH作为程序存储区
-片上集成 2K Bytes NVR（非易失性寄存器）
-片上集成 2K Bytes ROM，作为芯片的Boot Loader和自检测（启动引导区）