苏州晶湛半导体展示300mm工艺的1200V GaN-on-Si
300mm GaN-on-Si HEMT旨在解决晶圆开裂和晶体缺陷等关键问题，同时推进大功率集成电路开发，做成SoC将进一步降低GaN电源设备成本。下面是用于200V，650V和1200V的GaN-on-Si晶圆：
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https://www.eenewseurope.com/new ... eaches-300mm-wafers
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