写文件的效率和flash寿命问题。
最近交接了别人的一个项目，用nand flash做的存储器，我看他在向文件写入1000组数据时，用for循环的方式，每次写入一组（一组8个字节）。但是不是应该用for循环的方式把要写入的内容拼接好，然后一次性写入更合适么？这样分次写入效率低就算了，会不会导致更多的擦除操作，降低flash的寿命。我不太了解文件系统的底层，希望有大佬解答一下。 这个要看NAND擦写均衡效率了，加入管理的话，好很多。这种写法，慢是肯定的。没有整块操作快。 谢谢大佬的解答，实在不想老改别人的代码。改完出了问题，解释不清。 mountfushan 发表于 2022-11-7 17:09
谢谢大佬的解答，实在不想老改别人的代码。改完出了问题，解释不清。
嗯，这种玩法也行，影响不大。 可能是为了节省ram吧。如果一次性写入，需要准备很多kb的缓存。 其实，flash主要是擦除费芯片，写入的影响还好。 贴一下flash的擦写规则，网上搜索的。
常用FLASH擦写规则
最小擦除单位：扇区
可选择擦除单位：扇区、块、全片
最大编程（写入）单位：页（ 256 Byte），大于256 Byte则需要循环写入。
Flash 写入数据时和 EEPROM 类似，不能跨页写入，一次最多写入一页，W25Q128的一页是 256 字节。写入数据一旦跨页，必须在写满上一页的时候，等待 Flash 将数据从缓存搬移到非易失区，重新再次往里写。
最小编程（写入）单位：1 Byte，即一次可写入 1~256 Byte的任意长度字节。
未写入时FLASH里面的数据为全1，即0xFF。
只能由 1 —> 0 写入，不能由 0 —> 1 写入，即如果已经写入过了，则需要先擦除（擦除后数据变为全1）再写入。
示例：0xF0（1111 0000），即高4位可写入，低4位不可写入。
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主要是担心频繁的写入少量数据，耗时长是次要的，影响flash寿命才是最关键的。
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