求问，三极管发射极和集电极的命名由来？
求问，三极管发射极和集电极的命名由来以前记三极管的何为发射极和集电极的时候都是死记硬背的，如下图带箭头的是e也就是发射极但是今天看到IGBT的原理图PNP的箭头处是集电极，于是就搞不太清楚这集电极和发射极的命名搜了网上说的 发射极即发射电子的极，个人理解电子的移动和电流方向相反，可以解释NPN的箭头方向是发射极（电流从集电极流到发射极），但是又无法理解PNP（电流方向是从发射极流到集电极），故有此一问，基础不太好，若有表述错误，各位见谅https://xcc2.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/ye_img/Manufacturers_Img/a42025169d476ff360670f2144a82954ce521ed8.png
https://xcc2.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/ye_img/Manufacturers_Img/50eba7b63956e71330562cfebae507bb451cc202.png
B站郑益慧老师的模电课，第6讲 本帖最后由 caicaptain2 于 2023-11-22 16:17 编辑
带箭头的都是发射极。
箭头代表了电流的方向。
tovinz 发表于 2023-11-22 11:33
B站郑益慧老师的模电课，第6讲
看了，老师和我上面说的一样（发射极即发射电子的极。集电极是收集电子的），但是解释不通pnp三极管的 caicaptain2 发表于 2023-11-22 16:15
带箭头的都是发射极。
箭头代表了电流的方向。
集电极和发射极，是如何中文命名的，是不是和功能没关系？ 本帖最后由 tovinz 于 2023-11-23 08:56 编辑
ssssssss 发表于 2023-11-23 08:45
集电极和发射极，是如何中文命名的，是不是和功能没关系？
箭头方向代表的是发射极和基极之间的PN结的方向，，， tovinz 发表于 2023-11-23 08:49
箭头方向代表的是发射极和基极之间的PN结的方向，，，
如果说e是发射极，如果说发射极是发射电子的。那如何解释pnp三极管的呢？ ssssssss 发表于 2023-11-23 09:24
如果说e是发射极，如果说发射极是发射电子的。那如何解释pnp三极管的呢？
不是发射电子，是发射载流子。PNP发射区的多子是空穴，NPN发射区的多子是自由电子 tovinz 发表于 2023-11-23 10:22
不是发射电子，是发射载流子。PNP发射区的多子是空穴，NPN发射区的多子是自由电子
pnp的电流是发射极的空穴扩散到集电极形成的吗？ ssssssss 发表于 2023-11-23 10:29
pnp的电流是发射极的空穴扩散到集电极形成的吗？
NPN工作在放大状态下: 发射区 --空穴扩散运动(浓度梯度)--> 基区 --空穴漂移运动(电场力)--> 集电区
去看郑老师的课吧，NPN和PNP是类似的，就是载流子不同。 正电在电场作用下，电场力与电流方向相同。
负电在电场作用下，电场力与电流方向相反。
电子带负电。 主要是制造工艺特征决定这个名称。PNP或者NPN，总之就是三个区域和两个PN结，假如是PNP，从左往右，1区（P）载流子（空穴为主）浓度高，区域体积小；2区（N）载流子（电子为主）浓度很低，体积小且非常薄；3区（P）载流子（空穴为主）浓度相对2区高但比1区低，因为体积大；
一、1区2区之间接正偏电源，1、2区之间导通，但2区载流子浓度低，导致2区电流并不大，但因为电场（正偏导通）及制造工艺（很薄）原因，此刻1、2区PN结几乎消失，大量载流子聚集在2区边缘。
二、若此时在1区3区之间也接电源（与1、2区同向），2区左侧PN结被外电场极大削弱，2区右侧PN结被大量涌入载流子也极大削弱并顺利通过载流子形成较大3区电流。
三、以上条件下，相当于2区几乎不存在，1、3区之间等同于一块P型半导体在导电；从结构上讲，1区不断提供载流子，发射到2区，小部分从2区流出，大部分到达2、3区边缘，被3区收集走形成3区电流；故而，称1区为发射区、3区为集电区，2区为基区，相应地，三个电极就产生了。
最关键的点，就是基区很薄但浓度很低，一旦发射区和基区之间反偏，则三极管截止，正偏时则建立了载流子流向集电区的先决条件即产生集电极电流，随着基极电流增大，集电极电流逐渐增大，并呈倍数关系（由制造工艺决定，该倍数就是所谓的放大系数），当基极电流达到一定程度，集电极电流不再增大时，三极管处于饱和导通状态，
数字电路中，三极管主要工作在截止和饱和状态，模拟电路中，三极管主要工作在截止和饱和之间的状态---放大状态，也就是说要工作在放大状态，基极电流就要处于一个合适的初始大小，这个初始大小就是静态偏置电流，过大则因输入信号正峰值时容易饱和（饱和失真），过小则因输入信号负峰值时容易截止（截止失真）。
同时静态偏置电流尽量要小，不然静态集电极电流过大会导致功耗过高。
至于NPN，也是一样的，发射极发射的载流子既可以是空穴也可以是电子，NPN中发射载流子以电子为主，PNP中发射载流子以空穴为主，同时不管哪种载流子参与电流形成，空穴与电子始终都参与电流形成，只不过谁多谁少（即多极子、少极子），三极管属于双极型电流控制器件，而场效应管属于单极型电压控制器件。
页:
[1]