STM32H7的中断响应时间几百纳秒？
1、问题描述：用STM32H732开一个外部中断输入，在中断里面执行 IO置1 -> 查询中断标志 -> 清除中断标志 -> IO置0，但是用示波器观察，发现从外部边沿到中断响应的时间有100多ns，执行查询中断标志、清除中断标志有大几十ns。
2、代码如下：
3、测的波形
说明： 蓝色波形为外部输入到中断口的波形(上升沿触发中断)，粉丝波形为IO输出波形，两个波形的上升沿差了200ns，粉丝高电平时间为80ns左右。
4、问题点
1)、为何从外部信号上升沿到中断里面IO置高有200ns这么久？(H7内核512MHz)
2)、只执行两句宏代码(查询寄存器、清寄存器位)为何要80ns这么久？
https://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=109631&highlight=IO%CB%D9%B6%C8
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这两个是之前大家讨论IO速度的帖子，看你测试的波形，感觉还是跟IO的翻转速度有关系 你这个测试还有较大提升空间，我这个是主频400MHz测试的。
测试STM32H7进出中断的速度能跑到12.5MHz，所有程序在TCM和Flash运行没差别
https://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=90836 heluo1985 发表于 2024-1-27 08:52
https://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=109631&highlight=IO%CB%D9%B6%C8
https://www.armb ...
好滴 谢谢 eric2013 发表于 2024-1-27 09:16
你这个测试还有较大提升空间，我这个是主频400MHz测试的。
测试STM32H7进出中断的速度能跑到12.5MHz，所 ...
好滴 谢谢 如果使用GPIO的端口进行操作的话，H7要跨过两条总线才能操作gpio。所以看起来很慢。
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