K4T1G084QF-BCF8小知识
K4T1G084QF-BCF8小知识K4T1G084QF-BCF8组织为32Mbit x4I / Osx 8banks，16Mbit x8 I / Osx8banks或8Mbit x 16 I / O x 8 bank设备。对于一般应用，该同步器件可实现高达800Mb / sec / pin（DDR2-800）的高速双倍数据速率转换速率。
该芯片的设计符合以下关键DDR2 SDRAM功能，如发布的CAS具有附加延迟，写入延迟=读取延迟-1，片外驱动器（OCD）阻抗调整和On Die终端。
所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点（CK上升和CK下降）。所有I / O都以源同步方式与一对双向服务器（DQS和DQS）同步。地址总线用于以RAS / C AS多路复用方式传送行，列和存储体地址信息。例如，1Gb（x8）设备接收14/10/3地址。
K4T1G084QF-BCF8器件采用1.8V±0.1V单电源和1.8V±0.1V VDDQ供电。
K4T1G084QF-BCF8器件提供60ball FBGA（x4 / x8）和84ball FBGA（x16）。
·JEDEC标准VDD = 1.8V±0.1V电源
·VDDQ = 1.8V±0.1V
·333MHz fCK，667Mb / sec /引脚，400MHz fCK，800Mb / sec /引脚
·8Banks
·发布CAS
·可编程CAS延迟：3,4,5,6
·可编程添加剂Latenc y：0,1,2,3,4,5
·写延迟（WL）=读延迟（RL）-1
·突发长度：4,8（Inte rleave / nibble sequential）
·Progra mmab le Sequential f Interle ave Burst Mode
·双向差分数据选通（单端数据连接是一项可选功能）
·片外驱动器（OCD）阻抗调整
·关于模具终止
·特殊功能支持50欧姆ODT
- 高温自我恢复速率启用
·平均刷新周期7.8us低于TCASE 85C，3.9us，85℃<TCASE <95℃
·所有产品均为无铅，Halo gen-Free和RoHS兼容产品
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