快速了解NSS20201LT1G
快速了解NSS20201LT1G安森美半导体的NSS20201LT1G低VCE（sat）晶体管是微型表面贴装器件，具有超低饱和电压（VcE（sat））和??高电流增益能力。它们设计用于低电压，高速开关应用，其中经济实惠的高效能量控制非常重要。
典型应用是便携式和电池供电产品中的DC-DC转换器和电源管理，如蜂窝和无绳电话，PDA，计算机，打印机，数码相机和MP3播放器。
其他应用是大容量存储产品中的低压电机控制，例如磁盘驱动器和磁带驱动器。在汽车工业中，它们可用于气囊展开和仪表组中。高电流增益使e2PowerEdge设备可以直接从PMU的控制输出中获得成功，线性增益（Beta）使其成为模拟放大器的理想元件。
规格参数
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V
集电极—基极电压 VCBO: 20 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 0.004 V
最大直流电集电极电流: 2 A
增益带宽产品fT: 150 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: NSS20201L
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
宽度: 1.3 mm
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 200
Pd-功率耗散: 540 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 8 mg
页:
[1]