stm32h7掌机锂电池供电电路设计

芯跳不止

我是一名电子爱好者，硬件初次接触。最近想为自己的stm32h7掌机设计底板电路，实现18650锂电池来为掌机供电，这才是一款真正移动掌机。于是设计了如下电路图，还请各位硬件大佬指教。选型取值是否合理？电路存在什么问题不？

图1
【设计思路】
TP5410是南京拓品微电子出的一款5V/1A输入，5V/1A输出的锂电子充电升压二合一芯片。选择它目的是为了最大化简化电路。该芯片特性是，插入5V/1A充电器（准备用华为手机的tpye c充电器给我底板充电），给电池充电，此时升压电路停止工作。当拔下充电器，升压电路工作，由锂电池升压至5V给电路供电。官方给出的设计图纸为图2

图2
1、我设计的图纸基于官方，但进行了改进。第一个PMOS（Q1）目的是实现，当插入5V/1A充电器时，不仅能为锂电池充电，还能给后续电路供电。为啥不使用二极管呢？因为二极管有0.7V压降，（5-0.7）=4.3V，不足以给LM1117-3.3芯片提供足够压差，因此，希望严格的5V输出，因此使用了Q1。
2、第二个PMOS（Q2）作用是实现点触按键开机，和软件关机。即，持续按下K1按键，Q2导通，为stm32h7最小系统提供电源，当
最小系统 稳定后，通过IO1输出高电平，使得电路能够持续导通。如何关机呢？打算在emwin界面中做个关机按钮，按下该按钮后，IO1输出低电平关机。
【参数分析】
1、Q4三极管作为开关管用。Ube=0.7V，Ib=(5-0.7)/2k=2.15mA，大于1mA，使得Q4导通。Uce=0.3V，R2上流过的电流等于Ic，Ic=(5-0.3)/2k=2.35mA，不足以达到β倍的Ib。因此Q4工作在饱和区。R8目的是为保护Q4三极管而存在，当 Q4三极管 b 极发生雷击或静电，有一个释放的通路。且与R5组成偏置电阻提供Ib。
2、Q1是PMOS管，上电时候，通过内部的寄生二极管在S极形成5V电压，而Q4三极管导通后，PMOS的Ugs约等于4.7V，大于PMOS导通的门槛电压，因此Q1导通。R2取2k目的是：因为 MOS 管存在 Cgs 杂散电容，如果没有此限流电阻，上电瞬间会直接给 Cgs 充电，造成浪涌电流，损坏 MOS 管。 MOS 管下拉的 2K 电阻作用是给 Cgs 杂散电容一个通路，并且当 MOS 管 g 极发生雷击或静电，有一个释放的通路。
3、K1目的是点触按键实现给Q2 PMOS管提供Ugs电压大于门槛电压，使得持续按下点触按键5V电源持续导通。当stm32h743最小系统稳定后，通过IO1持续输出高电平，Q3三极管持续导通。
电路设计也才接触，还请各位硬件大佬指教。选型取值是否合理？电路存在什么问题不？

奋进love

为什么要把电池升压到5V再稳压到3.3V？直接用低压差稳压不行吗。如果系统复杂的话可以考虑多稳压芯片供电，一个单独供MCU使用，关机时可灵活运用低功耗模式，其它的器件供电由MCU控制使能，功耗也不会太大

芯跳不止

奋进love 发表于 2021-1-17 18:59
为什么要把电池升压到5V再稳压到3.3V？直接用低压差稳压不行吗。如果系统复杂的话可以考虑多稳压芯片供电， ...

因为该芯片给锂电池充电时，锂电池是不工作的，直接通过5V充电电源给系统供电

lvehe

当你还在用LM1117-3.3这样的芯片的时候，就说明你这个就没法做到低功耗，锂电池也就无法长时间供电。
你的电路只是截取了一部分，没办法看到当你插入USB供电时，锂电池是如何切换供电的。
建议后面用低dropout的LDO，USB供电时接LDO输出3.3V，电池供电时也接LDO输出3.3V。USB供电时切断锂电池供电，给锂电池充电。

芯跳不止

lvehe 发表于 2021-1-18 08:44
当你还在用LM1117-3.3这样的芯片的时候，就说明你这个就没法做到低功耗，锂电池也就无法长时间供电。
你的 ...

请教下，推荐的低压差LDO 型号可以告知下吗

奋进love

你到某宝，卖元件的店铺里有分类，低压差稳压芯片。根据自己系统选合适的就好，

竹林听雨

用PMIC，比如AXP221

西点钟灵毓秀

芯跳不止 发表于 2021-1-18 14:37
请教下，推荐的低压差LDO 型号可以告知下吗

TOREX(特瑞仕)
日本的不错。
LOWPOWER(微源半导体)
比特瑞仕便宜

芯跳不止

竹林听雨 发表于 2021-1-18 17:52
用PMIC，比如AXP221

电源管理芯片，这么高端的东西还没用过呢

芯跳不止

西点钟灵毓秀 发表于 2021-1-18 18:00
TOREX(特瑞仕)
日本的不错。
LOWPOWER(微源半导体)

谢谢你的建议，我进他们官网看看。话说低压差芯片除了所需压差比较低，对比asm 1117 3.3还有什么区别不