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发表于 2014-3-19 18:30:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
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World_of_Memories2008.pdf (3.17 MB, 下载次数: 429)

------------------------------------------------华丽的分割线---------------------------------------------------------------------------------

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三星内存颗粒
编码规则:K 4 X X X X X X X X - X X X X X

主要含义:

第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4,代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为 7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为 8ns;10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位) × 16片/8bits=256MB(兆字节)。

注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

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Micron内存颗粒

Micron(美光)内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

含义:

MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表SDRAM;46 代表DDR。

LC——供电电压。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V。

16M8——内存颗粒容量为128Mbits,计算方法是:16M(地址)×8位数据宽度。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式,TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率,-75即133MHz;-65即150MHz。

实例:一条Micron DDR内存条,采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为:容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆字节)。

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西门子内存颗粒

目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量:容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少,辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此,如:HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率。

-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz;

-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如:

1条Kingston的内存条,采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位)×16片/8=256MB(兆字节)。

1条Ramaxel的内存条,采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位) × 8 片/8=128MB(兆字节)。

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Kingmax内存颗粒

Kingmax内存都是采用TinyBGA封装(Tiny ball grid array)。并且该封装模式是专利产品,所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量:64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注:

KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间 × 4位数据宽度;

KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间 × 8位数据宽度;

KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间 × 4位数据宽度;

KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间 × 8位数据宽度;

KSV864T4XXX——128Mbits,8M 地址空间 × 16位数据宽度。

Kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率:

-7A——PC133 /CL=2;

-7——PC133 /CL=3;

-8A——PC100/ CL=2;

-8——PC100 /CL=3。

例如一条Kingmax内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造,其容量计算为: 64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆字节)。

内存颗粒编号与内存品牌知识介绍
通过查验内存颗粒的型号,我们就可以计算出内存的容量

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HY颗粒编号


HY XX X XX XX XX X X X X X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

1、HY代表是现代的产品

  2、内存芯片类型:(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM);

  3、工作电压:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V 

  4、芯片容量和刷新速率:64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K 刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新

  5、代表芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

  6、BANK数量:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系

  7、I/O界面:1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2

  8、芯片内核版本:可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新

  9、代表功耗:L=低功耗芯片,空白=普通芯片

  10、内存芯片封装形式:JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ

  11、工作速度:55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A

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TOSHIBA DDR内存:

TC XX X XX XX X XX X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9


  1、TC代表是东芝的产品

  2、59代表SDRAM代表是SDRAM

  3、代表内存种类:S=普通SDRAM,R=Rambus SDRAM,W=DDR SDRAM

  4、代表容量:64=64Mb,M7=128Mb

  5、表示数据位宽:04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

  6、表示内核的版本:可以为空白或A、B、C等字母,越往后代表内核越新

  7、代表封装:FT为TSO II封装

  8、代表内存功耗:L=低功耗,空白=普通

  9、代表速度:75=7.5ns[133MHz],80=8ns[125MHz],10=10ns[100MHz CL=3

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宇瞻DDR内存:

W XX XX XX XX

1 2 3 4 5


  1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

  2、代表显存类型:98为SDRAM,94为DDR RAM 

  3、代表颗粒的版本号:常见的版本号为B和H;

  4、代表封装,H为TSOP封装,B为BGA封装,D为LQFP封装

  5、工作频率:0:10ns、100MHz;8:8ns、125MHz;Z:7.5ns、133MHz;Y:6.7ns、150MHz;6:6ns、166MHz;5:5ns、200MHz
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