STD5NM60-1小秘密

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STD5NM60-1小秘密

描述
      MD meshld是一种革命性的新技术，将多重漏极工艺与公司的PowerMESHM水平布局相结合。所得产品具有出色的低阻抗，令人印象深刻的高dv / dt和出色的雪崩特性。STD5NM60-1采用专有的剥离技术可获得整体动态性能，远远优于类似的completition产品。

特征
典型的RDS（o）= 0.82
高dv / dt和AVALANCHE功能
100％AVALANCHE测试
低电容和栅极电荷
低闸门输入抗性
严格的过程控制和高生产率

规格参数       
包装:带卷 (TR)可替代的包装
系列:MDmesh
FET 类型:MOSFET N 通道
金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):400pF @ 25V
功率 - 最大值:96W,安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片）
SC-63,供应商器件封装-Pak

应用
      MDmeshnf系列非常适合提高高压变换器的功率密度，从而实现系统的小型化和更高的效率。