STM32F407 不需要重映射向量表就可以读写16K一块Flash的方法分享

lhb292

• STM32F407 不需要重映射向量表就可以读写16K一块Flash的方法分享如下，今天刚调出来的！实验证明可行

• 1. #ifndef _FLASH_H_
     
  2. #define _FLASH_H_
     
  3. 
     
  4. #include "driver_about.h"
     
  5. ////////////////////////////////////////////////////
     
  6. #define FlashAddr_ReadWrite    (0x0800C000)////块3：0x0800 C000 - 0x0800 FFFF 16K
     
  7. 
     
  8. #define STM32_FLASH_BASE 0x08000000         //STM32 FLASH的起始地址
     
  9. #define ADDR_FLASH_SECTOR_0     ((u32)0x08000000)         //扇区0起始地址, 16 Kbytes
     
  10. #define ADDR_FLASH_SECTOR_1     ((u32)0x08004000)         //扇区1起始地址, 16 Kbytes  
      
  11. #define ADDR_FLASH_SECTOR_2     ((u32)0x08008000)         //扇区2起始地址, 16 Kbytes  
      
  12. #define ADDR_FLASH_SECTOR_3     ((u32)0x0800C000)         //扇区3起始地址, 16 Kbytes  
      
  13. #define ADDR_FLASH_SECTOR_4     ((u32)0x08010000)         //扇区4起始地址, 64 Kbytes  
      
  14. #define ADDR_FLASH_SECTOR_5     ((u32)0x08020000)         //扇区5起始地址, 128 Kbytes  
      
  15. #define ADDR_FLASH_SECTOR_6     ((u32)0x08040000)         //扇区6起始地址, 128 Kbytes  
      
  16. #define ADDR_FLASH_SECTOR_7     ((u32)0x08060000)         //扇区7起始地址, 128 Kbytes  
      
  17. #define ADDR_FLASH_SECTOR_8     ((u32)0x08080000)         //扇区8起始地址, 128 Kbytes  
      
  18. #define ADDR_FLASH_SECTOR_9     ((u32)0x080A0000)         //扇区9起始地址, 128 Kbytes  
      
  19. #define ADDR_FLASH_SECTOR_10    ((u32)0x080C0000)         //扇区10起始地址,128 Kbytes  
      
  20. #define ADDR_FLASH_SECTOR_11    ((u32)0x080E0000)         //扇区11起始地址,128 Kbytes  
      
  21. 
      
  22. u32 FLASH_Read4Byte(u32 flashaddr);
      
  23. s8  FLASH_Read(u32 ReadAddr,u8 *pReadData,u32 ByteNums);
      
  24. s8  FLASH_EraseOneSector(u32 WriteAddr);
      
  25. s8  FLASH_Write(u32 WriteAddr,u8 *pWriteData,u32 ByteNums);
      
  26. #endif
      
  27. 
      
  28. 
      
  29. #include "flash.h"
      
  30. <font color="#ff0000">const char EEROM_Buff[1024*16] __attribute__((at(FlashAddr_ReadWrite))) = {0xff,0xff,0xff,0xff};//块3：0x0800 C000 - 0x0800 FFFF 16K</font>
      
  31. 
      
  32. u32 FLASH_Read4Byte(u32 flashaddr)//读取指定地址的数据4个字节 返回值:对应数据[0 ... 3]
      
  33. {
      
  34.         return *(vu32*)flashaddr;
      
  35. }  
      
  36. 
      
  37. s8 FLASH_Read(u32 ReadAddr,u8 *pReadData,u32 ByteNums)//从指定地址开始读出指定长度的数据      
      
  38. {
      
  39.         u32 data,i,inte,remd;
      
  40.         inte=ByteNums/4*4;//4的整数部分
      
  41.         remd=ByteNums%4;  //余数
      
  42.         for(i=0;i<inte;)
      
  43.         {
      
  44.                 *((u32*)&pReadData[i])=FLASH_Read4Byte(ReadAddr);//读取4个字节
      
  45.                 i+=4;
      
  46.                 ReadAddr+=4;
      
  47.         }
      
  48.       
      
  49.         data=FLASH_Read4Byte(ReadAddr);
      
  50.         for(i=0;i<remd;i++)
      
  51.         {
      
  52.           pReadData[inte+i]=(u8)(data>>(i*8));//取1个字节
      
  53.         }
      
  54.         return 0;
      
  55. }
      
  56. 
      
  57. uint16_t FLASH_GetFlashSector(u32 flashaddr)//获取某个地址所在的flash扇区
      
  58. {
      
  59.              if(flashaddr<ADDR_FLASH_SECTOR_1) return FLASH_Sector_0;
      
  60.         else if(flashaddr<ADDR_FLASH_SECTOR_2) return FLASH_Sector_1;
      
  61.         else if(flashaddr<ADDR_FLASH_SECTOR_3) return FLASH_Sector_2;
      
  62.         else if(flashaddr<ADDR_FLASH_SECTOR_4) return FLASH_Sector_3;
      
  63.         else if(flashaddr<ADDR_FLASH_SECTOR_5) return FLASH_Sector_4;
      
  64.         else if(flashaddr<ADDR_FLASH_SECTOR_6) return FLASH_Sector_5;
      
  65.         else if(flashaddr<ADDR_FLASH_SECTOR_7) return FLASH_Sector_6;
      
  66.         else if(flashaddr<ADDR_FLASH_SECTOR_8) return FLASH_Sector_7;
      
  67.         else if(flashaddr<ADDR_FLASH_SECTOR_9) return FLASH_Sector_8;
      
  68.         else if(flashaddr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_Sector_9;
      
  69.         else if(flashaddr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_Sector_10;
      
  70.         return FLASH_Sector_11;      
      
  71. }
      
  72. 
      
  73. s8 FLASH_EraseOneSector(u32 WriteAddr)//擦除一个以WriteAddr为开始地址的块
      
  74. {
      
  75.        FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
      
  76.        if((WriteAddr<STM32_FLASH_BASE)||(WriteAddr%4)) return -1;   
      
  77.       
      
  78.         FLASH_Unlock();                                                        //解锁
      
  79.         FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR |FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR | FLASH_FLAG_PGSERR);
      
  80.         FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);  //FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存
      
  81.         if(WriteAddr<0X1FFF0000)                  
      
  82.         {
      
  83.                 status=FLASH_EraseSector(FLASH_GetFlashSector(WriteAddr),VoltageRange_3);//擦除块
      
  84.                 if(status!=FLASH_COMPLETE) return status;        //发生错误了
      
  85.         }
      
  86.       
      
  87.   FLASH_DataCacheCmd(ENABLE);        //FLASH擦除结束,开启数据缓存
      
  88.   FLASH_Lock();//上锁
      
  89.   return 0;
      
  90. }
      
  91. 
      
  92. s8 FLASH_Write(u32 WriteAddr,u8 *pWriteData,u32 ByteNums)//写入pWriteData中的ByteNums字节数据到以WriteAddr地址为开始的Flash中
      
  93. {
      
  94.   FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
      
  95.   u32 endaddr=0;      
      
  96.   if((WriteAddr<STM32_FLASH_BASE)||(WriteAddr%4)) return -1;        //非法地址
      
  97.       
      
  98.   FLASH_Unlock();                                                        //解锁
      
  99.   FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR |FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR | FLASH_FLAG_PGSERR);
      
  100.   //FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存
       
  101.                
       
  102.   endaddr =WriteAddr+ByteNums;//写入的结束地址      
       
  103.         while(WriteAddr<endaddr)//写数据
       
  104.         {
       
  105.                 status=FLASH_ProgramWord(WriteAddr,*(u32*)pWriteData);//写入数据
       
  106.                 if(status!=FLASH_COMPLETE) return status;        //写入异常
       
  107.                 WriteAddr+=4;
       
  108.                 pWriteData+=4;
       
  109.         }
       
  110. 
       
  111.   //FLASH_DataCacheCmd(ENABLE);        //FLASH擦除结束,开启数据缓存
       
  112.   FLASH_Lock();//上锁
       
  113.   return 0;
       
  114. }

  复制代码
  
  

eric2013

很给力，谢谢楼主分享。

morning_enr6U

首先感谢分享！ 另外我问下，这个功能用在什么场景下的，谢谢！

lhb292

morning_enr6U 发表于 2020-9-16 09:25
首先感谢分享！ 另外我问下，这个功能用在什么场景下的，谢谢！

适用于应用程序比较大，想用F407前几个16Kflash块存储应用数据的情况下，当然如果应用程序不大，最后几块128K的块剩余比较多，也可以直接用最后一个128K块，而不必使用本方法

caicaptain2

lhb292 发表于 2020-9-21 17:51
适用于应用程序比较大，想用F407前几个16Kflash块存储应用数据的情况下，当然如果应用程序不大，最后几块 ...

最后的那一块128KB，空间太大了，擦除时间比较长，高达一两秒钟，有点不好用。

caicaptain2

这个思路简单有效！ 使用强制地址定义一个变量，把这个16KB先给占用了！

lhb292

caicaptain2 发表于 2020-9-23 10:43
这个思路简单有效！ 使用强制地址定义一个变量，把这个16KB先给占用了！

对的 就是这个思路