STM32基于FSMC的SRAM扩展

英尚微电子

STM32F103ZET6属于STM32F103xE增强型系列,工作频率为72MHz,内置高速存储器(高达512K字节的闪存和64K字节的SRAM) ,丰富的外设资源足以满足大部分的一般应用,但对于一些需要采集处理较多数据.应用算法或使用GUI等场合,内置的SRAM就显得捉襟见肘了,这时就需要扩展SRAM了。

IS61LV51216是ISSI公司生产的常用16位SRAM异步存储芯片,内部512k存储容量足以满足多数场合应用需求,存取时间8~12ns ,全静态操作,不需时钟或刷新,兼容TTL标准接口,具有高速,可靠、易操作.低功耗等优点。ISSI总代理英尚微电子支持提供例程及FAE等技术支持。

FSMC(灵活的静态存储器控制器)是STM32采用的一种新型存储器控制技术,包含四个主要模块:AHB接口.NOR闪存和PSRAM控制器、NAND闪存和PC卡控制器、外部设备接口。

STM32F103系列中的64脚的STM32F103Rx系列没有FSMC功能,无法扩展SRAM;100脚的STM32F103Vx系列的FSMC在使用时需要管脚复用,不仅设置起来更复杂一些,而且还需增加锁存器,FSMC本身也占用大量管脚,在许多应用场合中造成管脚分配困难，但成本却与144脚的STM32F103Zx系列相差不大,因此在需要扩展SRAM时除非对成本要求特别严格或有其他要求,一般较少选用STM32F103Vx系列。

硬件电路设计
STM32F103ZET6与IS61LV51216的硬件电路连接:管脚接法同时兼容容量较小但成本更低的IS61LV25616。由于篇幅原因,IS61LV51216芯片的A18-AO为地址线,在此没有用到的FSMC_A可以作为通用IO使用,I/O15-I/O0为数据线,CE为片选引脚,本例选择使用地址为bank1的第三个子区域,片选脚为FSMC_NE3,WE为写入使能引脚,控制存储器的写入和读取,DE为输出使能引脚。LB为低位控制脚,UB为高位控制脚,用于将32位数据分割为连续的16位数据进行操作。

英尚微电子

IS61LV51216是ISSI公司生产的常用16位SRAM异步存储芯片,内部512k存储容量足以满足多数场合应用需求,存取时间8~12ns ,全静态操作,不需时钟或刷新,兼容TTL标准接口,具有高速,可靠、易操作.低功耗等优点。