STM32系列参考手册上有关SDRAM控制器中的一个描述性BUG

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在STM32 H7、F7、F4系列参考手册上，对于FMCSDRAM控制器中的SDRAM时序寄存器FMC_SDTRx存在一个描述性的错误，手册将FMC_SDTRx中TRAS位对应的功能描述为：配置自刷新时间(Self refresh time)，英文对应解释为：“These bits define the minimum Self-refresh period in number of memoryclock cycles”。

       然而在SDRAM中，刷新操作分为两种，一个是“自动刷新(Auto refresh)”，一个是 “自刷新(Self refresh)”，无论是何种刷新方式，都不需要外部提供行地址信息，因为这是一个内部的自动操作。我们常说的SDRAM每隔64ms就需要刷新一次，指的是“自动刷新(Auto refresh)”。这里TRAS可以设置的周期为1～16个时钟周期，故不能是用来设置“自动刷新(Auto refresh)”周期。

       而“自刷新(Self refresh)”主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存。在发出“自动刷新”命令时，将CKE置于无效状态，就进入了“自刷新”模式，此时不再依靠系统时钟工作，而是根据内部的时钟进行刷新操作。在“自刷新”期间除了CKE之外的所有外部信号都是无效的（无需外部提供刷新指令），只有重新使CKE有效才能退出“自刷新”模式并进入正常工作状态。故“自刷新”模式不需要FMC控制器从外部控制即可自行刷新SDRAM。所以TRAS位对应的也肯定不是SDRAM中定义的“自刷新(Self refresh)”功能。

       实际上，从寄存器命名的角度来看，TRAS位对应的应该是SDRAM中的tRAS周期，对应的英文描述为Active to precharge Command Period，即“行激活(Active)”到“预充电(Precharge)”操作的时间间隔，这是由于完成“行激活(Active)”操作后，一般要进行读/写操作，然后再判断是否读取新的行中的数据，再进行行的预充电操作。

       对应到HAL库中，即FMC_SDRAM_TimingTypeDef时序设置结构体中的SelfRefreshTime设置参数应该对应tRAS周期。而此结构体中真正对应“自动刷新”命令等待时间（tRC周期）应该是RowCycleDelay，HAL库给出的英文对应解释为：the delay between the Refresh command and the Activate command andthe delay between two consecutive Refresh commands，即tRC周期。可以参考下两图对这两个时间解释：

ISSI IS42S32800B SDRAM时序参数图

ISSI IS42S32800B SDRAM时序参数图

Winbond W9825G6KH SDRAM时序参数图

WinbondW9825G6KH SDRAM时序参数图

       tRAS时间比tRC时间要短，只要SelfRefreshTime设置为tRAS还能正常工作，说明此结论是正确的，经过实际开发板验证无误。同时V7开发板例程也是将SelfRefreshTime设置为tRAS。

eric2013

谢谢楼主分享。

tianqi911

牛哇，尽管基本看不懂。赞。