H743片内NAND擦除和写入需要的时间

twodiamond

请教：
H743主频480MHz，FLASH 使用4个clock延时。测试发现：
1、擦除1个sect，时间为1us（有效内容32字节）；
2、调用HAL_FLASH_Program写入32个字节，时间将近1s，太不可思议了，这样如果写入128K，得多长时间呀。

是有没有注意到的什么地方吗（没有使用DCACHE）。

谢谢！

eric2013

楼主的是内部Flash吗，自动的那个2MB  Flash。
1、这个Flash不是NAND型的，应该属于NOR型的。
2.  内部Flash的的扇区大小固定是128KB，你1us是绝对擦除不完的。
3.  HAL_FLASH_Program写入32个字节，时间将近1s就更加诡异了。

我建议楼主使用下载器使用MDK，IAR等给你的板子下载几次不同大小的程序，就对这个有个全面的认识了。

另外楼主可以参考下我的这个例子，内部Flash模拟EEPROM的。
http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=86980

twodiamond

eric2013 发表于 2021-9-9 15:27
楼主的是内部Flash吗，自动的那个2MB  Flash。
1、这个Flash不是NAND型的，应该属于NOR型的。
2.  内部Fl ...

多谢硬汉！！！
说错了，是内部NOR FLASH（128K）

我用I/O口翻转来测量一个SECT擦除和写入的时间。每次都是先擦除（里面只有上次写入的32个字节），然后写入32个字节，发现擦除只需不到1us（不知是否同有效数据有关），但是写入的确花费1s（HAL_FLASH_Program）。

不知道是不是哪里用得不对？

twodiamond

eric2013 发表于 2021-9-9 15:27
楼主的是内部Flash吗，自动的那个2MB  Flash。
1、这个Flash不是NAND型的，应该属于NOR型的。
2.  内部Fl ...

代码在BANK2运行，擦除BANK1的一个SECT，并写入32个字节

谢谢！

eric2013

twodiamond 发表于 2021-9-9 15:35
多谢硬汉！！！
说错了，是内部NOR FLASH（128K）

擦除并写入的话，1s还可以理解。

不能往固定地址写入，你要考虑地址递增，用满128KB了再考虑擦除。

twodiamond

eric2013 发表于 2021-9-9 16:46
擦除并写入的话，1s还可以理解。

不能往固定地址写入，你要考虑地址递增，用满128KB了再考虑擦除。

只调用一次HAL_FLASH_Program写入32个字节，需要耗费1s，感觉不可接受呀，用JLINK烧录整个code（100K）都很快的。

硬汉你们有测试过吗？
谢谢！

eric2013

twodiamond 发表于 2021-9-9 16:51
只调用一次HAL_FLASH_Program写入32个字节，需要耗费1s，感觉不可接受呀，用JLINK烧录整个code（100K）都 ...

你的描述有问题，你到底是调用HAL_FLASH_Program就需要1s，还是调用SECT擦除再调用HAL_FLASH_Program的总时间是1s，

如果你是仅仅调用HAL_FLASH_Program就是1s显然是不正常。
如果你是擦除1个128KB sect再调用HAL_FLASH_Program，这个是1s，完全正常啊。本身擦除1个sect就需要1s左右。


特别注意一点，你擦除一个1个sect后，首地址写入32字节，然后偏移32字节地址后，再写32字节时是不需要再次擦除的，你是不是这个点没有理解对，我感觉你是这个地方里面偏差了。

twodiamond

eric2013 发表于 2021-9-9 17:02
你的描述有问题，你到底是调用HAL_FLASH_Program就需要1s，还是调用SECT擦除再调用HAL_FLASH_Program的总 ...

代码这样的：
        //擦除1个SECT
SetIoOutput(0,0);  //io0 输出0电平
        HAL_FLASH_Unlock();
        FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_2, FLASH_BANK_1, VOLTAGE_RANGE_3);
        HAL_FLASH_Lock();
SetIoOutput(0,1);  //io0 输出1电平

       //写入32个字节
SetIoOutput(1,0);  //io1 输出0电平
        HAL_FLASH_Unlock();
        HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_FLASHWORD, writeAddr, (uint32_t)pData);
        HAL_FLASH_Lock();
SetIoOutput(1,1);  //io1 输出1电平

用示波器测量发现:
io0 的负脉冲为1us  - 表示擦除为1us
io1的负脉冲为1s - 表示写入32个字节为1s

可以这样理解不？
谢谢！

eric2013

你这个已经完全异常了，我的测试。

twodiamond

eric2013 发表于 2021-9-9 18:02
你这个已经完全异常了，我的测试。

请问硬汉，你的写入函数也是HAL_FLASH_Program吗？
我可以跑一下你的测试工程不？

谢谢！！！

eric2013

twodiamond 发表于 2021-9-10 15:12
请问硬汉，你的写入函数也是HAL_FLASH_Program吗？
我可以跑一下你的测试工程不？

就是二楼发你的例子。

twodiamond

eric2013 发表于 2021-9-10 16:21
就是二楼发你的例子。

感谢！！！

SRIlyy

eric2013 发表于 2021-9-9 18:02
你这个已经完全异常了，我的测试。

硬汉哥您好，针对这个擦除问题，我发现每次擦除用时不同，最大相差60ms，想请教一下您那边测试也会出现这么大时间差么？

eric2013

SRIlyy 发表于 2024-3-30 11:33
硬汉哥您好，针对这个擦除问题，我发现每次擦除用时不同，最大相差60ms，想请教一下您那边测试也会出现这 ...

60ms不大，这个属于正常。