硬汉兄，为什么说FLASH模拟EEPROM，不推荐二次编程？

perfect_co · 发表于 2021-9-10 09:49:37

那么，如果我希望修改FLASH模拟的EEPROM中保存的数据，只建议修改一次吗？？我再擦除，再重新写入会有问题吗？？

eric2013 · 发表于 2021-9-10 10:13:54

这就是文件系统针对NAND和NOR型Flash搞个擦写均衡的直接原因，像H7的内部Flash，一个扇区就有128KB，如果每写入几百，几KB的数据就擦除一次，擦除次数很快就用完了。均衡后将大大提升寿命。

对于不是很频繁的使用，可以每次都擦除。

如果比较频繁，建议一个扇区128KB用的差不多了，再执行擦除。

perfect_co · 发表于 2021-9-10 10:42:47

eric2013 发表于 2021-9-10 10:13
这就是文件系统针对NAND和NOR型Flash搞个擦写均衡的直接原因，像H7的内部Flash，一个扇区就有128KB，如果每 ...

了解，多谢。

hyghyg1234 · 发表于 2021-9-10 11:43:02

perfect_co 发表于 2021-9-10 10:42
了解，多谢。

你可以了解下easyflash，带写平衡的。

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