STM32H743驱动32bit SDRAM最高时钟是100MHz，实际测试120MHz也可以，提供个参考设置案例

eric2013

H743官方手册标配说明是100MHz，超过的话属于超频，而我们配置主频为480MHz的话，需要单独配置个PLL设置到100MHz才行。

略显繁琐，这里提供个无需单独配置PLL的方法，仅需修改下面位置，让SDRAM运行在120MHz。

V7-563_emWin6.x实验_AppWizard使用emWin经典回调(RTOS).7z (36.98MB)

配置时钟到480MHz

1. /*
   
2. *********************************************************************************************************
   
3. *        函 数 名: SystemClock_Config
   
4. *        功能说明: 初始化系统时钟
   
5. *                    System Clock source            = PLL (HSE)
   
6. *                    SYSCLK(Hz)                     = 480000000 (CPU Clock)
   
7. *                   HCLK(Hz)                       = 240000000 (AXI and AHBs Clock)
   
8. *                    AHB Prescaler                  = 2
   
9. *                    D1 APB3 Prescaler              = 2 (APB3 Clock  120MHz)
   
10. *                    D2 APB1 Prescaler              = 2 (APB1 Clock  120MHz)
    
11. *                    D2 APB2 Prescaler              = 2 (APB2 Clock  120MHz)
    
12. *                    D3 APB4 Prescaler              = 2 (APB4 Clock  120MHz)
    
13. *                    HSE Frequency(Hz)              = 25000000
    
14. *                   PLL_M                          = 5
    
15. *                    PLL_N                          = 192
    
16. *                    PLL_P                          = 2
    
17. *                    PLL_Q                          = 4
    
18. *                    PLL_R                          = 2
    
19. *                    VDD(V)                         = 3.3
    
20. *                    Flash Latency(WS)              = 4
    
21. *        形    参: 无
    
22. *        返 回 值: 无
    
23. *********************************************************************************************************
    
24. */
    
25. static void SystemClock_Config(void)
    
26. {
    
27.         RCC_ClkInitTypeDef RCC_ClkInitStruct = {0};
    
28.         RCC_OscInitTypeDef RCC_OscInitStruct = {0};
    
29.         HAL_StatusTypeDef ret = HAL_OK;
    
30. 
    
31.         HAL_PWREx_ConfigSupply(PWR_LDO_SUPPLY);
    
32. 
    
33.         /*
    
34.       1、芯片内部的LDO稳压器输出的电压范围，可选VOS1，VOS2和VOS3，不同范围对应不同的Flash读速度，
    
35.          详情看参考手册的Table 12的表格。
    
36.       2、这里选择使用VOS1，电压范围1.15V - 1.26V。
    
37.     */
    
38.         __HAL_PWR_VOLTAGESCALING_CONFIG(PWR_REGULATOR_VOLTAGE_SCALE0);
    
39. 
    
40.         while(!__HAL_PWR_GET_FLAG(PWR_FLAG_VOSRDY)) {}
    
41. 
    
42.         /* 使能HSE，并选择HSE作为PLL时钟源，如果USB使用HSI48的话，这里要开启*/
    
43.         RCC_OscInitStruct.OscillatorType = RCC_OSCILLATORTYPE_HSI48 | RCC_OSCILLATORTYPE_HSE;
    
44.         RCC_OscInitStruct.HSEState = RCC_HSE_ON;
    
45.         RCC_OscInitStruct.HSIState = RCC_HSI_OFF;
    
46.         RCC_OscInitStruct.CSIState = RCC_CSI_OFF;
    
47.         RCC_OscInitStruct.HSI48State = RCC_HSI48_ON;
    
48.         RCC_OscInitStruct.PLL.PLLState = RCC_PLL_ON;
    
49.         RCC_OscInitStruct.PLL.PLLSource = RCC_PLLSOURCE_HSE;
    
50.                
    
51.         RCC_OscInitStruct.PLL.PLLM = 5;
    
52.         RCC_OscInitStruct.PLL.PLLN = 192;
    
53.         RCC_OscInitStruct.PLL.PLLP = 2;
    
54.         RCC_OscInitStruct.PLL.PLLR = 2;
    
55.         RCC_OscInitStruct.PLL.PLLQ = 4;               
    
56.                
    
57.         RCC_OscInitStruct.PLL.PLLVCOSEL = RCC_PLL1VCOWIDE;
    
58.         RCC_OscInitStruct.PLL.PLLRGE = RCC_PLL1VCIRANGE_2;        
    
59.         ret = HAL_RCC_OscConfig(&RCC_OscInitStruct);
    
60.         if(ret != HAL_OK)
    
61.         {
    
62.         Error_Handler(__FILE__, __LINE__);
    
63.         }
    
64. 
    
65.         /*
    
66.        选择PLL的输出作为系统时钟
    
67.        配置RCC_CLOCKTYPE_SYSCLK系统时钟
    
68.        配置RCC_CLOCKTYPE_HCLK 时钟，对应AHB1，AHB2，AHB3和AHB4总线
    
69.        配置RCC_CLOCKTYPE_PCLK1时钟，对应APB1总线
    
70.        配置RCC_CLOCKTYPE_PCLK2时钟，对应APB2总线
    
71.        配置RCC_CLOCKTYPE_D1PCLK1时钟，对应APB3总线
    
72.        配置RCC_CLOCKTYPE_D3PCLK1时钟，对应APB4总线     
    
73.     */
    
74.         RCC_ClkInitStruct.ClockType = (RCC_CLOCKTYPE_SYSCLK | RCC_CLOCKTYPE_HCLK | RCC_CLOCKTYPE_D1PCLK1 | RCC_CLOCKTYPE_PCLK1 | \
    
75.                                                                  RCC_CLOCKTYPE_PCLK2  | RCC_CLOCKTYPE_D3PCLK1);
    
76. 
    
77.         RCC_ClkInitStruct.SYSCLKSource = RCC_SYSCLKSOURCE_PLLCLK;
    
78.         RCC_ClkInitStruct.SYSCLKDivider = RCC_SYSCLK_DIV1;
    
79.         RCC_ClkInitStruct.AHBCLKDivider = RCC_HCLK_DIV2;
    
80.         RCC_ClkInitStruct.APB3CLKDivider = RCC_APB3_DIV2;  
    
81.         RCC_ClkInitStruct.APB1CLKDivider = RCC_APB1_DIV2;
    
82.         RCC_ClkInitStruct.APB2CLKDivider = RCC_APB2_DIV2;
    
83.         RCC_ClkInitStruct.APB4CLKDivider = RCC_APB4_DIV2;
    
84.         
    
85.         /* 此函数会更新SystemCoreClock，并重新配置HAL_InitTick */
    
86.         ret = HAL_RCC_ClockConfig(&RCC_ClkInitStruct, FLASH_LATENCY_4);
    
87.         if(ret != HAL_OK)
    
88.         {
    
89.         Error_Handler(__FILE__, __LINE__);
    
90.         }
    
91. 
    
92.     /*
    
93.       使用IO的高速模式，要使能IO补偿，即调用下面三个函数
    
94.       （1）使能CSI clock
    
95.       （2）使能SYSCFG clock
    
96.       （3）使能I/O补偿单元， 设置SYSCFG_CCCSR寄存器的bit0
    
97.     */
    
98.         __HAL_RCC_CSI_ENABLE() ;
    
99. 
    
100.         __HAL_RCC_SYSCFG_CLK_ENABLE() ;
     
101. 
     
102.         HAL_EnableCompensationCell();
     
103. 
     
104.    /* AXI SRAM的时钟是上电自动使能的，而D2域的SRAM1，SRAM2和SRAM3要单独使能 */        
     
105. #if 1
     
106.         __HAL_RCC_D2SRAM1_CLK_ENABLE();
     
107.         __HAL_RCC_D2SRAM2_CLK_ENABLE();
     
108.         __HAL_RCC_D2SRAM3_CLK_ENABLE();
     
109. #endif
     
110.         
     
111.         {
     
112.                 /*
     
113.                         USB工作需要48MHz的时钟，可以由PLL1Q，PLL3Q和HSI48提供
     
114.                         PLL1Q用于给SDMMC提供时钟
     
115.                     PLL3Q给LTDC提供时钟，也可以跟USB共用，不过得更USB设置相同的频率才可一起用。
     
116.                     HSI48可以供USB独享，就是精度不是很高。
     
117.                 */
     
118.                 RCC_PeriphCLKInitTypeDef PeriphClkInitStruct;
     
119. #if 0
     
120.                 /* PLL3-Q for USB Clock = 48M */
     
121.                 PeriphClkInitStruct.PeriphClockSelection = RCC_PERIPHCLK_USB;
     
122.                 PeriphClkInitStruct.PLL3.PLL3M = 5;
     
123.                 PeriphClkInitStruct.PLL3.PLL3N = 48;
     
124.                 PeriphClkInitStruct.PLL3.PLL3P = 2;
     
125.                 PeriphClkInitStruct.PLL3.PLL3Q = 5;
     
126.                 PeriphClkInitStruct.PLL3.PLL3R = 2;
     
127.                 PeriphClkInitStruct.PLL3.PLL3RGE = RCC_PLL3VCIRANGE_2;
     
128.                 PeriphClkInitStruct.PLL3.PLL3VCOSEL = RCC_PLL3VCOWIDE;
     
129.                 PeriphClkInitStruct.PLL3.PLL3FRACN = 0;
     
130.                 PeriphClkInitStruct.UsbClockSelection = RCC_USBCLKSOURCE_PLL3;
     
131.                 if (HAL_RCCEx_PeriphCLKConfig(&PeriphClkInitStruct)!= HAL_OK)
     
132.                 {
     
133.                         Error_Handler(__FILE__, __LINE__);
     
134.                 }        
     
135. #else
     
136.                 PeriphClkInitStruct.PeriphClockSelection = RCC_PERIPHCLK_USB;
     
137.                 PeriphClkInitStruct.UsbClockSelection = RCC_USBCLKSOURCE_HSI48;
     
138.                 if (HAL_RCCEx_PeriphCLKConfig(&PeriphClkInitStruct) != HAL_OK)
     
139.                 {
     
140.                         Error_Handler(__FILE__, __LINE__);
     
141.                 }        
     
142. #endif
     
143.         }        
     
144. }

复制代码

SDRAM仅需修改参数hsdram.Init.ReadPipeDelay  为 FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_1即可

1. /*
   
2. *********************************************************************************************************
   
3. *        函 数 名: bsp_InitExtSDRAM
   
4. *        功能说明: 配置连接外部SDRAM的GPIO和FMC
   
5. *        形    参: 无
   
6. *        返 回 值: 无
   
7. *********************************************************************************************************
   
8. */
   
9. void bsp_InitExtSDRAM(void)
   
10. {
    
11.     SDRAM_HandleTypeDef      hsdram = {0};
    
12.         FMC_SDRAM_TimingTypeDef  SDRAM_Timing = {0};
    
13.         FMC_SDRAM_CommandTypeDef command = {0};
    
14. 
    
15.    
    
16.         /* FMC SDRAM所涉及到GPIO配置 */
    
17.         SDRAM_GPIOConfig();
    
18. 
    
19.         /* SDRAM配置 */
    
20.         hsdram.Instance = FMC_SDRAM_DEVICE;
    
21. 
    
22.         /*
    
23.        FMC使用的HCLK3时钟，200MHz，用于SDRAM的话，至少2分频，也就是100MHz，即1个SDRAM时钟周期是10ns
    
24.        下面参数单位均为10ns。
    
25.     */
    
26.         SDRAM_Timing.LoadToActiveDelay    = 2; /* 20ns, TMRD定义加载模式寄存器的命令与激活命令或刷新命令之间的延迟 */
    
27.         SDRAM_Timing.ExitSelfRefreshDelay = 7; /* 70ns, TXSR定义从发出自刷新命令到发出激活命令之间的延迟 */
    
28.         SDRAM_Timing.SelfRefreshTime      = 4; /* 50ns, TRAS定义最短的自刷新周期 */
    
29.         SDRAM_Timing.RowCycleDelay        = 7; /* 70ns, TRC定义刷新命令和激活命令之间的延迟 */
    
30.         SDRAM_Timing.WriteRecoveryTime    = 2; /* 20ns, TWR定义在写命令和预充电命令之间的延迟 */
    
31.         SDRAM_Timing.RPDelay              = 2; /* 20ns, TRP定义预充电命令与其它命令之间的延迟 */
    
32.         SDRAM_Timing.RCDDelay             = 2; /* 20ns, TRCD定义激活命令与读/写命令之间的延迟 */
    
33. 
    
34.         hsdram.Init.SDBank             = FMC_SDRAM_BANK1;               /* 硬件设计上用的BANK1 */
    
35.         hsdram.Init.ColumnBitsNumber   = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_9;   /* 9列 */
    
36.         hsdram.Init.RowBitsNumber      = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_12;     /* 12行 */
    
37.         hsdram.Init.MemoryDataWidth    = FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_32;        /* 32位带宽 */
    
38.         hsdram.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4;  /* SDRAM有4个BANK */
    
39.         hsdram.Init.CASLatency         = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3;       /* CAS Latency可以设置Latency1，2和3，实际测试Latency3稳定 */
    
40.         hsdram.Init.WriteProtection    = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE; /* 禁止写保护 */
    
41.         hsdram.Init.SDClockPeriod      = SDCLOCK_PERIOD;                /* FMC时钟200MHz，2分频后给SDRAM，即100MHz */
    
42.         hsdram.Init.ReadBurst          = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE;       /* 使能读突发 */
    
43.         hsdram.Init.ReadPipeDelay      = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_1;       /* 此位定CAS延时后延后多少个SDRAM时钟周期读取数据，实际测此位可以设置无需延迟 */
    
44. 
    
45.         /* 配置SDRAM控制器基本参数 */
    
46.         if(HAL_SDRAM_Init(&hsdram, &SDRAM_Timing) != HAL_OK)
    
47.         {
    
48.                 /* Initialization Error */
    
49.                 Error_Handler(__FILE__, __LINE__);
    
50.         }
    
51. 
    
52.         /* 完成SDRAM序列初始化 */
    
53.         SDRAM_Initialization_Sequence(&hsdram, &command);
    
54. }
    

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dengxiaojundink

我们的H7主控板量产了,测试发现

dengxiaojundink

我做的一款设备,H7的,前段时间将频率提升到120M之后,发现部分板卡对SDRAM自检无法通过了,改成100M就可以,应该对SDRAM芯片质量有要求,量产还是建议按照官方的来

eric2013

dengxiaojundink 发表于 2021-10-15 16:15
我做的一款设备,H7的,前段时间将频率提升到120M之后,发现部分板卡对SDRAM自检无法通过了,改成100M就可以,应 ...

是的，分享个例子供那些需要的用户参考。

cty25

dengxiaojundink 发表于 2021-10-15 16:15
我做的一款设备,H7的,前段时间将频率提升到120M之后,发现部分板卡对SDRAM自检无法通过了,改成100M就可以,应 ...

应该是IO速度不够吧，我没看FMC的IO速度 ，但LTDC的IO速度最大只能108MHz。