求助，W25Q烧写问题。

sam2022

硬件平台：stm32h750vbt6 + W25Q32JVSSIQ ， QSPI映射模式；

W25Q32烧写驱动是修改自硬汉的V7-060_QSPI Flash，修改为24bit，之前做过6块样板，烧写都没问题很顺畅；
现在要小批量了，烧写不成功，校验出错。

出错信息

设置信息

W25Q32JVSSIQ是在正规网站(LC)购买的，不存在假货问题，唯一的区别是以前的样板是21年批次的W25Q，芯片标示“2126”，现在采购的是22年批次的标示“2246”；
以前的芯片还剩一片，替换现在的2246批次，烧写很顺畅。


是W25Q烧写驱动程序兼容性问题吗？ 请问有没有要过这种问题，真是头疼啊。请指点修改方向，多谢！

sam2022

#ifdef FLASH_MEM
struct FlashDevice const FlashDevice  =  {
    FLASH_DRV_VERS,                   /* 驱动版本，勿修改，这个是MDK定的 */
    "STM32H7x_QSPI_W25Q32",   /* 算法名，添加算法到MDK安装目录会显示此名字 */
    EXTSPI,                           /* 设备类型 */
    0x90000000,                       /* Flash起始地址 */
    4 * 1024 * 1024,                 /* Flash大小，32MB */
    4 * 1024,                         /* 编程页大小 */
    0,                                /* 保留，必须为0 */
    0xFF,                             /* 擦除后的数值 */
    1000,                             /* 页编程等待时间 */
    6000,                             /* 扇区擦除等待时间 */
   4 * 1024, 0x000000,              /* 扇区大小，扇区地址 */
    SECTOR_END   
};
#endif
========================
试着增大页编程时间，擦除等待时间，烧写错误依旧。 求指点，多谢！

eric2013

这个是校验失败了，你这里不勾选校验，看看程序是正确下载进去没

caicaptain2

注意看flash芯片型号的后缀，可能不一样。 因为有的flash芯片默认上电是单spi，有的是QSPI。

sam2022

把bsp_qspi_w25q256.c 文件中的(HAL_QSPI_Command，HAL_QSPI_Transmit，HAL_QSPI_AutoPolling函数最后一个参数超时参数0修改为HAL_QPSI_TIMEOUT_DEFAULT_VALUE，就可以了。
HAL_QPSI_TIMEOUT_DEFAULT_VALUE=5000ms，修改为1ms也可以，下载速度没区别。

eric2013

sam2022 发表于 2023-1-29 09:36
把bsp_qspi_w25q256.c 文件中的(HAL_QSPI_Command，HAL_QSPI_Transmit，HAL_QSPI_AutoPolling函数最后一个 ...

谢谢告知最终原因。