16位带宽的NOR Flash可以像SRAM那样，直接进行字节，半字和字的读取，无需做奇地址

eric2013

以前对于NOR Flash的访问基本都是2字节对齐进行读取，基本都是没问题的，没有实际测试过字节读取，
今天实际测试了下，也是没有问题，而且不需要做字节对齐（也就是保证NOR Flah的16位访问模式）
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NOR Flash的前6个字节存入如下数据：

NOR_WriteHalfWord(0x0000, 0xDD36);
NOR_WriteHalfWord(0x0002, 0x235a);
NOR_WriteHalfWord(0x0004, 0xCDFE);


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下面是字节，半字和字的读取：

uint32_t *pulBuf;   
uint16_t *puiBuf;
uint8_t  *pucBuf;

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读取结果如下：

eric2013

但是写数据的话，只能是16bit模式。这点也特别注意。
16bit和8bit对应的是不同的写入命令：

eric2013

可以正确读取的原因分析：
1. FSMCDE 16BIT访问模式说明：


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2. 比如我们读取16BIT NOR Flash地址0x6400_0001地址的字节数据，实际上NOR Flash接收到地址
应该是0x6400_0000，由于是16BIT访问，所以直接读出的就是两个字节，而高字节对应的数据就是地址
0x6400_0001所以对应的数据。

eric2013

16bit或者8bit访问模式，写操作该怎么写还是怎么写，因为地址错位是由内部完成的。
对于16bit的写操作，简单的理解就是最低的地址位被屏蔽掉了。
（对于16bit，用户可以在程序上面任意操作NOR Flash的写地址，但最终给NOR Flash的地址是
  HADDR[25：1]，也就是HADDR[0]没有起作用了）
1. 对于扇区擦除操作，写入扇区的绝对首地址即可。
NOR_EraseSector(0x00000)  //128KB
NOR_EraseSector(0x20000)  //128KB
NOR_EraseSector(0x40000)  //128KB
....................................
........................................


2.  写入数据的时候也要注意，因为每次写入的是2字节的数据，下次写入的时候注意地址，比如：

NOR_WriteHalfWord(0x0000, 0xDD36);
NOR_WriteHalfWord(0x0002, 0x235a);
NOR_WriteHalfWord(0x0004, 0xCDFE);
实际写入结果就是在1楼贴的图。

eric2013