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[客户分享] NAND Flash使用注意事项以及FSMC时序参数的配置方法

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发表于 2015-9-20 14:37:18 | 显示全部楼层 |阅读模式
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 楼主| 发表于 2015-9-21 00:03:40 | 显示全部楼层
FSMC的NAND 时序,注意时序图里面的A[25:0]其实就是
A[17] NAND闪存地址锁存允许信号(ALE)
A[16]NAND闪存命令锁存允许信号(CLE)
1.png

四个参数的说明如下:
2.png

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 楼主| 发表于 2015-9-21 01:41:52 | 显示全部楼层
HCLK一个周期是 1/72MHz = 13.88ns
1. 首先配置参数MEMxSET即建立地址信号时间。
=======================================
反应到nandflash上面就是CLE和ALE的建立时间,参数如下:
1.png

最小值都是15ns,所以取2个HCLK即可。为了保险,可以取3个HCLK。
也就是MEMxSET  = 0或者1都行(2个HCLK或者3个HCLK),再大的值当然也是可以的。
这里我们都以保证NAND的最快通信速度为目的。


2. 配置参数MEMWAITx等待时间:
=======================================
反应到nandflash上面就是tWP和tRP.
1.png

最小值都是15ns,所以取2个HCLK即可。为了保险,可以取3个HCLK。
也就是MEMWAITx  = 1或者2都行(2个HCLK或者3个HCLK),再大的值当然也是可以的。
这里我们都以保证NAND的最快通信速度为目的。

3. 配置参数MEMHOLDx保持地址时间:
=======================================
反应到nandflash上面就是tWP和tRP.
1.png

最小值都是5ns,所以取1个HCLK即可。为了保险,可以取2个HCLK。
也就是MEMHOLDx  = 1或者2都行(1个HCLK或者2个HCLK),再大的值当然也是可以的。
这里我们都以保证NAND的最快通信速度为目的。



4. 配置参数MEMHIZx保持地址时间:
=======================================
这里可以取跟MEMxSET一样的时间即可,或者保险点再大一个HCLK周期。
MEMxSET  = 0或者1都行(2个HCLK或者3个HCLK),那么
MEMHIZx = 1或者2(2个HCLK或者3个HCLK)


最终参数配置可以如下:
p.FSMC_SetupTime = 0x00;
p.FSMC_WaitSetupTime = 0x01;
p.FSMC_HoldSetupTime = 0x01;
p.FSMC_HiZSetupTime = 0x01;
保险点可以取可以如下:
p.FSMC_SetupTime = 0x01;
p.FSMC_WaitSetupTime = 0x02;
p.FSMC_HoldSetupTime = 0x02;
p.FSMC_HiZSetupTime = 0x02;
实际测试,上面两种参数都可以使用。
=================================================
NAND Flash可供参数的时序图
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发表于 2015-12-29 16:50:03 | 显示全部楼层
[s:151]  [s:151] 这个有用
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发表于 2016-4-25 13:56:27 | 显示全部楼层
学习了!硬汉楼主!
嘻嘻~~~
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发表于 2021-12-10 17:13:02 | 显示全部楼层
博主,请问我已经把这四个参数调到最小了,是否还有别的办法提高flash的速度呢?
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 楼主| 发表于 2021-12-11 01:08:46 | 显示全部楼层
胡奥利奥 发表于 2021-12-10 17:13
博主,请问我已经把这四个参数调到最小了,是否还有别的办法提高flash的速度呢?

不行,FSMC驱动NAND有个最大的问题就是有个等待信号,这个是最耽误时间的。
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发表于 2021-12-11 16:05:55 | 显示全部楼层
eric2013 发表于 2021-12-11 01:08
不行,FSMC驱动NAND有个最大的问题就是有个等待信号,这个是最耽误时间的。

啊,那没有办法了吗,我看我用的那款nandflash的芯片手册上写的读一个页(4096byte)的时间是20微秒,但是我自己这边测出来读一个页需要是300微秒,这差距有点大诶。
哦哦哦还有个问题我算出来的FMC的四个参数随便哪个参数或者和几个参数一起往下面减1,都不能读写成功,这样是调到了最小了吧?
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 楼主| 发表于 2021-12-11 16:13:19 | 显示全部楼层
胡奥利奥 发表于 2021-12-11 16:05
啊,那没有办法了吗,我看我用的那款nandflash的芯片手册上写的读一个页(4096byte)的时间是20微秒,但 ...

对,速度基本就这样。
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发表于 2021-12-11 18:02:47 | 显示全部楼层
eric2013 发表于 2021-12-11 16:13
对,速度基本就这样。

啊,你的意思是速度差这么多是正常的?????
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 楼主| 发表于 2021-12-11 18:55:53 | 显示全部楼层
胡奥利奥 发表于 2021-12-11 18:02
啊,你的意思是速度差这么多是正常的?????

你的带上文件系统速度多少,我之前读取速度4-6MB/S。一直都是这样,到了H7也是这样,无解。

因为有个忙等待信号。你有兴趣可以深入研究研究,看看怎么可以提速。

基于V7的新版RL-USB和RL-FlashFS的NAND完整解决方案,实现更简单,用户仅需初始化FMC
https://www.armbbs.cn/forum.php? ... id=94277&fromuid=58
(出处: 硬汉嵌入式论坛)
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发表于 2021-12-11 19:25:30 | 显示全部楼层
eric2013 发表于 2021-12-11 18:55
你的带上文件系统速度多少,我之前读取速度4-6MB/S。一直都是这样,到了H7也是这样,无解。

因为有个 ...

我没有带文件系统诶,你的这个读一个页需要多长的时间呀?
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 楼主| 发表于 2021-12-11 19:29:31 | 显示全部楼层
胡奥利奥 发表于 2021-12-11 19:25
我没有带文件系统诶,你的这个读一个页需要多长的时间呀?

没测过,有时间你加上文件系统搞搞,这个问题就交流这么多吧,等你加上文件系统后,我们再交流下。
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