stm32f429屏幕闪屏/花屏的问题怎么解决？

zy_35

在使用STM32F429驱动 1024*600，像素格式使用RGB565的时候，如果始终频率过高，超过12Mhz，则会出现花屏或者屏幕抖动的现象。

花屏

但是如果降低LCD的始终频率，12Mhz及以下，屏幕会出现闪屏及水波纹的现象。
我是使用外部SRAM作为显存，单独读写SRAM数据正常，感觉应该不是SRAM配置的问题。
有朋友遇到同样的情况的吗？

zy_35

官方文档说明可以支持1024*768，我也没有超呀。真是纳闷。。。

eric2013

你用的多大的SRAM，2MB?

RGB565的话，需要 1024*600*2


为什么不用SDRAM，16位异步SRAM性能太挫了，而且高速的超贵。

zy_35

eric2013:你用的多大的SRAM，2MB?

RGB565的话，需要 1024*600*2


....... (2017-05-08 13:43) 

是16位 2M的,2块1M和在一起的。硬件同事做的，地址连续，读写正常，功能和一块2M大小的一样。访问周期为55ns;
另外，请教一下，为什么说16位的SRAM性能挫？是因为SDRAM的访问周期比SRAM更快吗？

eric2013

zy_35:是16位 2M的,2块1M和在一起的。硬件同事做的，地址连续，读写正常，功能和一块2M大小的一样。访问周期为55ns;
另外，请教一下，为什么说16位的SRAM性能挫？是因为SDRAM的访问周期比SRAM更快吗？ (2017-05-08 14:24) 

55ns太慢了，性能捉急。

我们V5板子配套的是10ns。F407完全发挥不出性能。F429的FMC总线一样的。

务必要使用SDRAM。看我早前的性能测试
http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=16836

zy_35

eric2013:

55ns太慢了，性能捉急。

我们V5板子配套的是10ns。F407完全发挥不出性能。F429的FMC总线一样的。

.......

zy_35

eric2013:

55ns太慢了，性能捉急。

我们V5板子配套的是10ns。F407完全发挥不出性能。F429的FMC总线一样的。

.......

[blockquote]eric2013:

55ns太慢了，性能捉急。

我们V5板子配套的是10ns。F407完全发挥不出性能。F429的FMC总线一样的。

.......

谢谢回复。
根据你的SDRAM测试代码，我测试了一下我SRAM的读写速度。代码如下：

---

1. //-------------------------------------------------
2. #define SAMPLE_SRAM_SIZE (1024*1)
4. #define ALIGN_RW 0// 0: 8bit 1:16bit 2:32bit 3:64bit
6. /*************************************************
7. * @function :SRAM_Sample()
8. * @Description:
9. * @Input :无
10. * @Output :
11. * @Return :无
12. * @Others :
13. *************************************************/
14. void SRAM_Sample()
15. {
16. #if 1
17. int i, j = 0, nAlign;
18. static int nReadRate, nWriteRate, nNopTime, nRWTime;
20. #if (ALIGN_RW == 0) // 8
21. u8 *pBuf = (u8*)SRAM_BANK3_ADDR;
22. nAlign = 1;
23. #elif (ALIGN_RW == 1) // 16
24. u16 *pBuf = (u16*)SRAM_BANK3_ADDR;
25. nAlign = 2;
26. #elif (ALIGN_RW == 2) // 32
27. u32 *pBuf = (u32*)SRAM_BANK3_ADDR;
28. nAlign = 4;
29. #elif (ALIGN_RW == 3) // 64
30. u64 *pBuf = (u64*)SRAM_BANK3_ADDR;
31. nAlign = 8;
32. #endif
34. TFTLCD_Init(); //LCD初始化
35. SRAM_Init();
37. SWTMR_Init(SWTMR_1MS); // 1ms中断一次
38. delay_ms(300);
40. SWTMR_StartTimer(1, SWTMR_CYCLE, SWTMR_Callback2, NULL);
41. //----------写--------------------------------
42. nRWTime = 10;
43. while(nRWTime--)
44. {
45. nSWTMR_Tick = 0;//计数值清零
46. #if (ALIGN_RW == 0) // 8
47. pBuf = (u8*)SRAM_BANK3_ADDR;
48. #elif (ALIGN_RW == 1) // 16
49. pBuf = (u16*)SRAM_BANK3_ADDR;
50. #elif (ALIGN_RW == 2) // 32
51. pBuf = (u32*)SRAM_BANK3_ADDR;
52. #elif (ALIGN_RW == 3) // 64
53. pBuf = (u64*)SRAM_BANK3_ADDR;
54. #endif
55. for (i = SAMPLE_SRAM_SIZE * 1024 / nAlign / 32; i > 0 ; i--)
56. {
57. *pBuf++ = j++;
58. *pBuf++ = j++;
59. *pBuf++ = j++;
60. *pBuf++ = j++;
61. *pBuf++ = j++;
62. *pBuf++ = j++;
63. *pBuf++ = j++;
65. *pBuf++ = j++;
66. *pBuf++ = j++;
67. *pBuf++ = j++;
68. *pBuf++ = j++;
69. *pBuf++ = j++;
70. *pBuf++ = j++;
71. *pBuf++ = j++;
73. *pBuf++ = j++;
74. *pBuf++ = j++;
75. *pBuf++ = j++;
76. *pBuf++ = j++;
77. *pBuf++ = j++;
78. *pBuf++ = j++;
79. *pBuf++ = j++;
81. *pBuf++ = j++;
82. *pBuf++ = j++;
83. *pBuf++ = j++;
84. *pBuf++ = j++;
85. *pBuf++ = j++;
86. *pBuf++ = j++;
87. *pBuf++ = j++;
88. }
90. nWriteRate += nSWTMR_Tick;
91. }
93. nWriteRate = nWriteRate / 10;
94. //-------------------------------------------
96. //---------读----------------------------------
97. nRWTime = 10;
98. while(nRWTime--)
99. {
100. #if (ALIGN_RW == 0) // 8
101. pBuf = (u8*)SRAM_BANK3_ADDR;
102. #elif (ALIGN_RW == 1) // 16
103. pBuf = (u16*)SRAM_BANK3_ADDR;
104. #elif (ALIGN_RW == 2) // 32
105. pBuf = (u32*)SRAM_BANK3_ADDR;
106. #elif (ALIGN_RW == 3) // 64
107. pBuf = (u64*)SRAM_BANK3_ADDR;
108. #endif
110. nSWTMR_Tick = 0;//计数值清零
112. for (i = SAMPLE_SRAM_SIZE * 1024 / nAlign / 32; i > 0 ; i--)
113. {
114. j = *pBuf++;
115. j = *pBuf++;
116. j = *pBuf++;
117. j = *pBuf++;
118. j = *pBuf++;
119. j = *pBuf++;
120. j = *pBuf++;
121. j = *pBuf++;
123. j = *pBuf++;
124. j = *pBuf++;
125. j = *pBuf++;
126. j = *pBuf++;
127. j = *pBuf++;
128. j = *pBuf++;
129. j = *pBuf++;
130. j = *pBuf++;
132. j = *pBuf++;
133. j = *pBuf++;
134. j = *pBuf++;
135. j = *pBuf++;
136. j = *pBuf++;
137. j = *pBuf++;
138. j = *pBuf++;
139. j = *pBuf++;
141. j = *pBuf++;
142. j = *pBuf++;
143. j = *pBuf++;
144. j = *pBuf++;
145. j = *pBuf++;
146. j = *pBuf++;
147. j = *pBuf++;
148. j = *pBuf++;
149. }
151. nReadRate += nSWTMR_Tick; // 累加使用时间
152. }
154. nReadRate = nReadRate / 10;// 求平均
155. //-------------------------------------------
158. #endif
159. while(1);
160. }

复制代码

连续读写10次，求平均。

写1M数据
	先写后读				先读后写
对其方式（bit）	读(ms)	写(ms)	读速率（MB/s）	写速率（MB/s）	读(ms)	写(ms)	读速率（MB/s）	写速率（MB/s）
8	204	110	4.90	9.09	205	111	4.88	9.01
16	100	55	10.00	18.18	100	56	10.00	17.86
32	83	55	12.05	18.18	81	58	12.35	17.24
64	73	55	13.70	18.18	73	55	13.70	18.18

有几点疑惑：
1. 为什么对其方式不同时，读写速率会不一样？
2. 读取的速率居然把写入的快。不是应该写更耗时吗。
3. 按SRAM芯片手册上读写周期55ns，理论的读写速率应该是18MB/s才对。而测试结果，只有当对其方式为不为8bit的时候，写速率才有那么高，读的就10-13M左右。
这个速率恰恰是我LCD正常显示时的时钟频率，高了就会花屏或斗屏。


望答复。谢谢
[/blockquote]

eric2013

zy_35:谢谢回复。
根据你的SDRAM测试代码，我测试了一下我SRAM的读写速度。代码如下：

//-------------------------------------------------
....... (2017-05-09 12:41)

1. 因为你的是16位SRAM，写一次8位跟写一次16位数据，时间上基本没有区别。
2. STM32就是这样的。写更耗时那是nand，spiflash那种存储介质。
3. 总的来说，你用的这个SRAM性能太挫了，而且容量小。

以后用emWin的三缓冲都没法用，容量太小了，完全发挥不了性能。

zy_35

eric2013:1. 因为你的是16位SRAM，写一次8位跟写一次16位数据，时间上基本没有区别。
2. STM32就是这样的。写更耗时那是nand，spiflash那种存储介质。
3. 总的来说，你用的这个SRAM性能太挫了，而且容量小。

....... (2017-05-09 13:15) 

[s:151][s:141]
又学到了，非常感谢。