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本帖最后由 magicoctoier 于 2018-3-10 16:59 编辑
参考“基于RL-FlashFS的F429驱动NAND Flash”的移植，但是移植卡在关于NAND Flash的底层参数配置上，直接读写NAND正常，但是加上RL-FlashFS后显示如下：
操作NAND Flash.............
正在进行低级格式化中....
低级格式化完成....
挂载文件系统失败 (2：卷错误，挂载失败，对于FAT文件系统意味着无效的MBR，启动记录或者非FAT格式)
挂载失败，需要进行FAT32格式化
正在进行FAT32格式?
??...
格式化成功
------------------------------------------------------------------
Volume访问错误
NAND Flash剩余容量 = 0字节
卸载文件系统成功
总容量 = 510.132.224字节
总扇区数 = 996352
读扇区大小 = 512字节
写扇区大小 = 512字节
卸载成功
------------------------------------------------------------------
操作NAND Flash.............
挂载文件系统失败 (2：卷错误，挂载失败，对于FAT文件系统意味着无效的MBR，启动记录或者非FAT格式)
卸载文件系统成功
------------------------------------------------------------------
应该是底层关于NAND 的移植有问题？
使用的HAL库，NAND FLASH是MT29F4G08ABADA（512MB）需要修改那些地方呢？
1、
2、NAND_STM32F4xx.c中的几个读写NAND的函数。如下：
3、其他还有吗？
/* 定义NAND Flash的物理地址。这个是由硬件决定的 */
#define Bank2_NAND_ADDR NAND_DEVICE1 //在stm32f4xx_hal_nand.h中声明((uint32_t)0x70000000)
#define Bank3_NAND_ADDR NAND_DEVICE2 //在stm32f4xx_hal_nand.h中声明((uint32_t)0x80000000)
#define Bank_NAND_ADDR Bank3_NAND_ADDR
/* 定义操作NAND Flash用到3个宏 */
#define NAND_CMD_AREA *(__IO uint8_t *)(Bank_NAND_ADDR | CMD_AREA)
#define NAND_ADDR_AREA *(__IO uint8_t *)(Bank_NAND_ADDR | ADDR_AREA)
#define NAND_DATA_AREA *(__IO uint8_t *)(Bank_NAND_ADDR | DATA_AREA)
/* */
static uint32_t FSMC_NAND_GetStatus(void);
/* */
NAND_HandleTypeDef NAND_Handler; /* NAND FLASH句柄 */
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: FSMC_NAND_Init
* 功能说明: 配置FSMC和GPIO用于NAND Flash接口。这个函数必须在读写nand flash前被调用一次。
* 形 参: 无
* 返 回 值: 无
* 说 明：此函数会调用HAL_NAND_MspInit()，在BSP-Nand.c中。
*********************************************************************************************************
*/
static void FSMC_NAND_Init(void)
{
FMC_NAND_PCC_TimingTypeDef ComSpaceTiming, AttSpaceTiming;
NAND_Handler.Instance = FMC_NAND_DEVICE;
NAND_Handler.Init.NandBank = FMC_NAND_BANK3; /* NAND挂在BANK3上 */
NAND_Handler.Init.Waitfeature = FMC_NAND_PCC_WAIT_FEATURE_DISABLE; /* 关闭等待特性 */
NAND_Handler.Init.MemoryDataWidth = FMC_NAND_PCC_MEM_BUS_WIDTH_8; /* 8位数据宽度 */
NAND_Handler.Init.EccComputation = FMC_NAND_ECC_DISABLE; /* 不使用ECC */
NAND_Handler.Init.ECCPageSize = FMC_NAND_ECC_PAGE_SIZE_2048BYTE; /* ECC页大小为2k */
NAND_Handler.Init.TCLRSetupTime = 0; /* 设置TCLR(tCLR=CLE到RE的延时)=(TCLR+TSET+2)*THCLK,THCLK=1/180M=5.5ns */
NAND_Handler.Init.TARSetupTime = 1; /* 设置TAR(tAR=ALE到RE的延时)=(TAR+TSET+2)*THCLK,THCLK=1/180M=5.5n。 */
ComSpaceTiming.SetupTime = 2; /* 建立时间 */
ComSpaceTiming.WaitSetupTime = 3; /* 等待时间 */
ComSpaceTiming.HoldSetupTime = 2; /* 保持时间 */
ComSpaceTiming.HiZSetupTime = 1; /* 高阻态时间 */
AttSpaceTiming.SetupTime = 2; /* 建立时间 */
AttSpaceTiming.WaitSetupTime = 3; /* 等待时间 */
AttSpaceTiming.HoldSetupTime = 2; /* 保持时间 */
AttSpaceTiming.HiZSetupTime = 1; /* 高阻态时间 */
HAL_NAND_Init(&NAND_Handler,&ComSpaceTiming,&AttSpaceTiming);
}
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: FSMC_NAND_Reset
* 功能说明: 复位NAND Flash
* 形 参: 无
* 返 回 值: 无
*********************************************************************************************************
*/
static uint8_t FSMC_NAND_Reset(void)
{
NAND_CMD_AREA = NAND_CMD_RESET;
/* 检查操作状态 */
if (FSMC_NAND_GetStatus() == NAND_READY){
return NAND_OK;
}
return NAND_FAIL;
}
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: FSMC_NAND_ReadStatus
* 功能说明: 使用Read statuc 命令读NAND Flash内部状态
* 形 参: - Address: 被擦除的快内任意地址
* 返 回 值: NAND操作状态，有如下几种值：
* - NAND_BUSY: 内部正忙
* - NAND_READY: 内部空闲，可以进行下步操作
* - NAND_ERROR: 先前的命令执行失败
*********************************************************************************************************
*/
static uint8_t FSMC_NAND_ReadStatus(void)
{
uint8_t ucData;
uint8_t ucStatus = NAND_BUSY;
/* 读状态操作 */
NAND_CMD_AREA = NAND_CMD_STATUS;
ucData = *(__IO uint8_t *)(Bank_NAND_ADDR);
if((ucData & NAND_ERROR) == NAND_ERROR){
ucStatus = NAND_ERROR;
}else if((ucData & NAND_READY) == NAND_READY){
ucStatus = NAND_READY;
}else{
ucStatus = NAND_BUSY;
}
return (ucStatus);
}
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: FSMC_NAND_GetStatus
* 功能说明: 获取NAND Flash操作状态
* 形 参: - Address: 被擦除的快内任意地址
* 返 回 值: NAND操作状态，有如下几种值：
* - NAND_TIMEOUT_ERROR : 超时错误
* - NAND_READY : 操作成功
* - NAND_ERROR: 先前的命令执行失败
*********************************************************************************************************
*/
static uint32_t FSMC_NAND_GetStatus(void)
{
uint32_t ulTimeout = 0x10000;
uint32_t ucStatus = NAND_READY;
ucStatus = FSMC_NAND_ReadStatus();
/* 等待NAND操作结束，超时后会退出 */
while ((ucStatus != NAND_READY) &&( ulTimeout != 0x00)){
ucStatus = FSMC_NAND_ReadStatus();
if(ucStatus == NAND_ERROR){
/* 返回操作状态 */
return (ucStatus);
}
ulTimeout--;
}
if(ulTimeout == 0x00){
ucStatus = 0x80; //NAND_TIMEOUT_ERROR;
}
/* 返回操作状态 */
return (ucStatus);
}
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: NAND_ReadID
* 功能说明: 读NAND Flash的ID。ID存储到形参指定的结构体变量中。
* 形 参: 无
* 返 回 值: 32bit的NAND Flash ID
*********************************************************************************************************
*/
uint32_t NAND_ReadID(void)
{
uint32_t data = 0;
/* 发送命令 Command to the command area */
NAND_CMD_AREA = 0x90;
NAND_ADDR_AREA = 0x00;
/* 顺序读取NAND Flash的ID */
data = *(__IO uint32_t *)(Bank_NAND_ADDR | DATA_AREA);
data = ((data << 24) & 0xFF000000) |
((data << 8 ) & 0x00FF0000) |
((data >> 8 ) & 0x0000FF00) |
((data >> 24) & 0x000000FF) ;
return data;
}
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: FSMC_NAND_WritePage
* 功能说明: 写一组数据至NandFlash指定页面的指定位置，写入的数据长度不大于一页的大小。
* 形 参: - _pBuffer : 指向包含待写数据的缓冲区.
* - _ulPageNo : 页号，所有的页统一编码，范围为：0 - 65535.
* - _usAddrInPage : 页内地址，范围为：0-2111.
* - _usByteCount : 写入的字节个数.
* 返 回 值: 执行结果：
* RTV_NOERR - 页写入成功
* ERR_NAND_PROG - 页写入失败
* ERR_NAND_HW_TOUT - 超时
*********************************************************************************************************
*/
uint8_t FSMC_NAND_WritePage(uint8_t *_pBuffer, uint32_t _ulPageNo, uint16_t _usAddrInPage, uint16_t _usByteCount)
{
uint32_t i;
uint8_t ucStatus;
/* 发送页写命令 */
NAND_CMD_AREA = NAND_CMD_WRITE0;
/* 发送页内地址 ， 对于 HY27UF081G2A
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
第1字节： A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 (_usPageAddr 的bit7 - bit0)
第2字节： 0 0 0 0 A11 A10 A9 A8 (_usPageAddr 的bit11 - bit8, 高4bit必须是0)
第3字节： A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12
第4字节： A27 A26 A25 A24 A23 A22 A21 A20
H27U4G8F2DTR (512MB)
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
第1字节： A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 (_usPageAddr 的bit7 - bit0)
第2字节： 0 0 0 0 A11 A10 A9 A8 (_usPageAddr 的bit11 - bit8, 高4bit必须是0)
第3字节： A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12
第4字节： A27 A26 A25 A24 A23 A22 A21 A20
第5字节： 0 0 0 0 A31 A30 A29 A28
MT29F4G08ABADA（512MB）
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
第1字节： CA7 CA6 CA5 CA4 CA3 CA2 CA1 CA0 CA0~11`：列地址，一个page内的寻址。一个page=2112字节，所以要12个寻址。
第2字节： 0 0 0 0 CA11 CA10 CA9 CA8
第3字节： BA7 BA6 PA5 PA4 PA3 PA2 PA1 PA0 PA0~5 ：页地址，一个Block内的寻址。64个page，所以要6个寻址。
第4字节： BA15 BA14 BA13 BA12 BA11 BA10 BA9 BA8 BA6~17 ：块地址，全部Block的寻址。总共4096个块，所以要12个寻址。
第5字节： 0 0 0 0 0 0 BA17 BA16
*/
NAND_ADDR_AREA = _usAddrInPage;
NAND_ADDR_AREA = _usAddrInPage >> 8;
NAND_ADDR_AREA = _ulPageNo;
NAND_ADDR_AREA = (_ulPageNo & 0xFF00) >> 8;
#if NAND_ADDR_5 == 1
NAND_ADDR_AREA = (_ulPageNo & 0xFF0000) >> 16;
#endif
/* tADL = 100ns, Address to Data Loading */
for (i = 0; i < 20; i++); /* 需要大于 100ns */
/* 写数据 */
for(i = 0; i < _usByteCount; i++){
NAND_DATA_AREA = _pBuffer;
}
NAND_CMD_AREA = NAND_CMD_WRITE_TRUE1;
/* WE High to Busy , 100ns */
for (i = 0; i < 20; i++); /* 需要大于 100ns */
#if ENABLE_TIMEOUT
for (i = TIMEOUT_COUNT; i; i--) {
if (GPIOD->IDR & (1 << 6)){
break;
}
}
/* 返回超时 */
if(i == 0){
return (ERR_NAND_HW_TOUT);
}
#else
while((GPIOD->IDR & (1 << 6)) == 0);
#endif
/* 返回状态 */
ucStatus = FSMC_NAND_GetStatus();
if(ucStatus == NAND_READY) {
ucStatus = RTV_NOERR;
}else if(ucStatus == NAND_ERROR){
ucStatus = ERR_NAND_PROG;
}else if(ucStatus == 0x80){ //NAND_TIMEOUT_ERROR
ucStatus = ERR_NAND_HW_TOUT;
}
return (ucStatus);
}
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: FSMC_NAND_ReadPage
* 功能说明: 从NandFlash指定页面的指定位置读一组数据，读出的数据长度不大于一页的大小。
* 形 参: - _pBuffer: 指向包含待写数据的缓冲区
* - _ulPageNo: 页号，所有的页统一编码，范围为：0 - 65535
* - _usAddrInPage : 页内地址，范围为：0-2111
* - _usByteCount: 字节个数， （最大 2048 + 64）
* 返 回 值: 执行结果：
* RTV_NOERR - 页读取成功
* ERR_NAND_HW_TOUT - 超时
*********************************************************************************************************
*/
uint8_t FSMC_NAND_ReadPage(uint8_t *_pBuffer, uint32_t _ulPageNo, uint16_t _usAddrInPage, uint16_t _usByteCount)
{
uint32_t i;
/* 发送页面读命令 */
NAND_CMD_AREA = NAND_CMD_AREA_A;
/* 发送页内地址 ， 对于 HY27UF081G2A (128MB)
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
第1字节： A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 (_usPageAddr 的bit7 - bit0)
第2字节： 0 0 0 0 A11 A10 A9 A8 (_usPageAddr 的bit11 - bit8, 高4bit必须是0)
第3字节： A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12
第4字节： A27 A26 A25 A24 A23 A22 A21 A20
H27U4G8F2DTR (512MB)
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
第1字节： A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 (_usPageAddr 的bit7 - bit0)
第2字节： 0 0 0 0 A11 A10 A9 A8 (_usPageAddr 的bit11 - bit8, 高4bit必须是0)
第3字节： A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12
第4字节： A27 A26 A25 A24 A23 A22 A21 A20
第5字节： A28 A29 A30 A31 0 0 0 0
MT29F4G08ABADA（512MB）
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
第1字节： CA7 CA6 CA5 CA4 CA3 CA2 CA1 CA0 (_usPageAddr 的bit7 - bit0)
第2字节： 0 0 0 0 CA11 CA10 CA9 CA8 (_usPageAddr 的bit11 - bit8, 高4bit必须是0)
第3字节： BA7 BA6 BA5 BA4 BA3 BA2 BA1 BA0
第4字节： BA15 BA14 BA13 BA12 BA11 BA10 BA9 BA8
第5字节： 0 0 0 0 0 0 BA17 BA16
*/
NAND_ADDR_AREA = _usAddrInPage;
NAND_ADDR_AREA = _usAddrInPage >> 8;
NAND_ADDR_AREA = _ulPageNo;
NAND_ADDR_AREA = (_ulPageNo & 0xFF00) >> 8;
#if NAND_ADDR_5 == 1
NAND_ADDR_AREA = (_ulPageNo & 0xFF0000) >> 16;
#endif
NAND_CMD_AREA = NAND_CMD_AREA_TRUE1;
/* 必须等待，否则读出数据异常, 此处应该判断超时 */
for (i = 0; i < 20; i++);
#if ENABLE_TIMEOUT
for (i = TIMEOUT_COUNT; i; i--) {
if (GPIOD->IDR & (1 << 6)){
break;
}
}
/* 返回超时 */
if(i == 0){
return (ERR_NAND_HW_TOUT);
}
#else
while((GPIOD->IDR & (1 << 6)) == 0);
#endif
/* 读数据到缓冲区pBuffer */
for(i = 0; i < _usByteCount; i++){
_pBuffer = NAND_DATA_AREA;
}
return RTV_NOERR;
}
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: FSMC_NAND_EraseBlock
* 功能说明: 擦除NAND Flash一个块（block）
* 形 参: - _ulBlockNo: 块号，范围为：0 - 1023, 0-4095
* 返 回 值: NAND操作状态，有如下几种值：
* RTV_NOERR - 擦除成功
* ERR_NAND_ERASE - 擦除失败
* ERR_NAND_HW_TOUT - 超时
*********************************************************************************************************
*/
uint8_t FSMC_NAND_EraseBlock(uint32_t _ulBlockNo)
{
uint8_t ucStatus;
/* HY27UF081G2A (128MB)
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
第1字节： A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 (_usPageAddr 的bit7 - bit0)
第2字节： 0 0 0 0 A11 A10 A9 A8 (_usPageAddr 的bit11 - bit8, 高4bit必须是0)
第3字节： A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A18以上是块号
第4字节： A27 A26 A25 A24 A23 A22 A21 A20
H27U4G8F2DTR (512MB)
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
第1字节： A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 (_usPageAddr 的bit7 - bit0)
第2字节： 0 0 0 0 A11 A10 A9 A8 (_usPageAddr 的bit11 - bit8, 高4bit必须是0)
第3字节： A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A18以上是块号
第4字节： A27 A26 A25 A24 A23 A22 A21 A20
第5字节： A28 A29 A30 A31 0 0 0 0
MT29F4G08ABADA（512MB）
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
第1字节： CA7 CA6 CA5 CA4 CA3 CA2 CA1 CA0 (_usPageAddr 的bit7 - bit0)
第2字节： 0 0 0 0 CA11 CA10 CA9 CA8 (_usPageAddr 的bit11 - bit8, 高4bit必须是0)
第3字节： BA7 BA6 BA5 BA4 BA3 BA2 BA1 BA0 A18以上是块号
第4字节： BA15 BA14 BA13 BA12 BA11 BA10 BA9 BA8
第5字节： 0 0 0 0 0 BA18 BA17 BA16
*/
/* 发送擦除命令 */
NAND_CMD_AREA = NAND_CMD_ERASE0;
_ulBlockNo <<= 6; /* 块号转换为页编号 */
#if NAND_ADDR_5 == 0 /* 128MB的 */
NAND_ADDR_AREA = _ulBlockNo;
NAND_ADDR_AREA = _ulBlockNo >> 8;
#else /* 512MB的 */
NAND_ADDR_AREA = _ulBlockNo;
NAND_ADDR_AREA = _ulBlockNo >> 8;
NAND_ADDR_AREA = _ulBlockNo >> 16;
#endif
NAND_CMD_AREA = NAND_CMD_ERASE1;
/* 返回状态 */
ucStatus = FSMC_NAND_GetStatus();
if(ucStatus == NAND_READY) {
ucStatus = RTV_NOERR;
}else if(ucStatus == NAND_ERROR){
ucStatus = ERR_NAND_PROG;
}else if(ucStatus == 0x80){ //NAND_TIMEOUT_ERROR
ucStatus = ERR_NAND_HW_TOUT;
}
return (ucStatus);
}
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: NAND_IsBadBlock
* 功能说明: 根据坏块标记检测NAND Flash指定的块是否坏块
* 形 参: _ulBlockNo ：块号 0 - 1023 （对于128M字节，2K Page的NAND Flash，有1024个块）
* 返 回 值: 0 ：该块可用； 1 ：该块是坏块
*********************************************************************************************************
*/
uint8_t NAND_IsBadBlock(uint32_t _ulBlockNo)
{
uint8_t ucFlag;
/* 如果NAND Flash出厂前已经标注为坏块了，则就认为是坏块 */
FSMC_NAND_ReadPage(&ucFlag, _ulBlockNo * NAND_BLOCK_SIZE, NAND_PAGE_SIZE + BBM_OFFSET, 1);
if (ucFlag != 0xFF){
return 1;
}
FSMC_NAND_ReadPage(&ucFlag, _ulBlockNo * NAND_BLOCK_SIZE + 1, NAND_PAGE_SIZE + BBM_OFFSET, 1);
if (ucFlag != 0xFF){
return 1;
}
return 0; /* 是好块 */
}
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: NAND_Format
* 功能说明: NAND Flash格式化，擦除所有的数据，重建LUT
* 形 参: 无
* 返 回 值: NAND_OK : 成功； NAND_Fail ：失败（一般是坏块数量过多导致）
*********************************************************************************************************
*/
uint8_t NAND_Format(void)
{
#if 0
uint16_t i;
uint16_t usGoodBlockCount;
/* 擦除每个块 */
usGoodBlockCount = 0;
for (i = 0; i < NAND_BLOCK_COUNT; i++){
/* 如果是好块，则擦除 */
if (!NAND_IsBadBlock(i)){
FSMC_NAND_EraseBlock(i);
usGoodBlockCount++;
}
}
/* 如果好块的数量少于100，则NAND Flash报废 */
if (usGoodBlockCount < 100){
return NAND_FAIL;
}
return NAND_OK;
#else
uint16_t i;
for (i = 0; i < NAND_BLOCK_COUNT; i++){
FSMC_NAND_EraseBlock(i);
}
return NAND_OK;
#endif
}
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: NAND_Init
* 功能说明: 初始化NAND Flash接口
* 形 参: 无
* 返 回 值: 无
*********************************************************************************************************
*/
void NAND_Init(void)
{
FSMC_NAND_Init(); /* 配置FSMC和GPIO用于NAND Flash接口 */
FSMC_NAND_Reset(); /* 通过复位命令复位NAND Flash到读状态 */
}
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: NAND_UnInit
* 功能说明: 卸载NAND Flash
* 形 参: 无
* 返 回 值: 无
*********************************************************************************************************
*/
void NAND_UnInit(void)
{
//FMC_NANDDeInit(FMC_NAND_BANK3);
HAL_NAND_DeInit(&NAND_Handler);
/* FSMC NAND Bank 禁能 */
//FMC_NANDCmd(FMC_NAND_BANK3, DISABLE);
__FMC_NAND_DISABLE(NAND_Handler.Instance, NAND_Handler.Init.NandBank);
}
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发表于 2018-3-10 16:53:37
发表于 2018-3-12 02:29:08
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