MRAM，FRAM，EERAM，谁更溜（2020-10-24已经更新）

eric2013 · 发表于 2018-7-18 11:00:14

FRAM（铁电存储器）：
参考资料来源：
http://www.fujitsu.com/cn/produc ... mory/fram/overview/

具有像EEPROM一样的非易失性的优势，在没有电源的情况下可以保存数据，用于数据存储。在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。

当前主要是TI和富士通在搞（补充，还有Cypress）。富士通有并口，SPI接口和I2C接口的，下面是并行接口的选型
QQ截图20180722012927.png

TI的铁电是集成到MSP430单片机里面了，可以做flash用，也可以做RAM用。
QQ截图20180722013703.png

MRAM（磁阻式随机存取内存）

参考资料：https://www.everspin.com/toggle-mram-technology

是一种非易失性内存技术，从1990年代开始发展。这个技术的拥护者认为，这个技术速度接近SRAM，具有快闪存储器的非易失性，容量密度及使用寿命不输DRAM，平均能耗远低于DRAM，成为真正的通用型内存。目前由主要是Everspin公司生产。

相比FRAM铁电，MRAM性能更加强劲，读写速度更快可以做到35ns，支持无限次读写，超宽的耐温范围-40 - 150度，可实现超过20年的数据记录

MRAM选型：
http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=100676

EERAM
这个是Microchip出的产品，属于EEPROM和SRAM结合的产物，看下面框图，SRAM的区域都有EEPROM的映射域，系统掉电的话，会自动将所有数据都存入EEPROM里面。

下面是Microchip做的Serial EERAM，Serial EEPROM，Serial Flash，Parallel Flash，Serial SRAM和Serial NVSRAM的全方面对比，做的比较专业。
相对FRAM和MRAM，缺点是速度慢，优势是可以实现超过200年的数据记录。

alexyzhov · 发表于 2018-7-18 11:14:50

MRAM应该很快就要有产品了吧

ghslfgkkl88 · 发表于 2018-7-18 16:45:40

从技术趋势来看，存储器的发展方向显然是：读写速度比肩SRAM，同时具有非易失性，以及无限读/写次数。
显然MRAM更符合发展规律，FRAM是这种趋势下的阶段性产物。至于EERAM嘛，可能是特殊应用下的产物，大方向就偏了。

eric2013 · 发表于 2018-7-22 01:58:52

alexyzhov 发表于 2018-7-18 11:14
MRAM应该很快就要有产品了吧

有产品，Everspin公司前几年就有产品了。

eric2013 · 发表于 2018-7-22 02:00:19

ghslfgkkl88 发表于 2018-7-18 16:45
从技术趋势来看，存储器的发展方向显然是：读写速度比肩SRAM，同时具有非易失性，以及无限读/写次数。
显 ...

EERAM优势是超过200年的数据记录，其它两个比拟不了，算不算是一个优势

eric2013 · 发表于 2018-7-22 02:00:28

已经更新。

ghslfgkkl88 · 发表于 2018-7-22 13:53:34

eric2013 发表于 2018-7-22 02:00
EERAM优势是超过200年的数据记录，其它两个比拟不了，算不算是一个优势

eric2013 · 发表于 2018-7-23 02:02:24

补充，搞铁电的还有Cypress
http://www.armbbs.cn/forum.php?m ... &extra=page%3D1

eric2013 · 发表于 2018-10-23 02:26:48

caicaptain2 · 发表于 2018-10-25 09:50:54

有没有1MB字节的典型价格对比？这些东西都比较新鲜，价格是应用的关键因素啊

eric2013 · 发表于 2018-10-26 02:18:30

caicaptain2 发表于 2018-10-25 09:50
有没有1MB字节的典型价格对比？这些东西都比较新鲜，价格是应用的关键因素啊

价格不好对比，主要是太混乱。不知道以哪里的价格为准。

ghslfgkkl88 · 发表于 2018-10-26 10:57:27

caicaptain2 发表于 2018-10-25 09:50
有没有1MB字节的典型价格对比？这些东西都比较新鲜，价格是应用的关键因素啊

这个不太好比。我产品里面用的是富士的FRAM，以JLC商场为准，对比了一下32KB的FRAM和MRAM，MRAM贵了8RMB

我看好MRAM，无限擦写次数的Memory才是方向，期待MRAM的SSD硬盘

hpdell · 发表于 2019-3-9 23:08:06

ghslfgkkl88 发表于 2018-10-26 10:57
这个不太好比。我产品里面用的是富士的FRAM，以JLC商场为准，对比了一下32KB的FRAM和MRAM，MRAM贵了8RMB
...

传说快了，当然，要普及估计害得需要时日吧

如果现有的 ssd 的价格，2tB 的在 1k 左右，到时估计 MRAM 就快普及了，

eric2013 · 发表于 2020-10-24 10:40:43

Everspin的MRAM选型
http://www.armbbs.cn/forum.php?m ... 0676&fromuid=58
(出处: 硬汉嵌入式论坛)

lbinquan · 发表于 2020-10-26 13:53:44

我在2014年就用过Everspin的MRAM了，也不知道为什么这么多年了还是没见到MRAM的大规模普及，有没有业内大神解说一下内情。

李益达 · 发表于 2020-10-26 15:46:01

lbinquan 发表于 2020-10-26 13:53
我在2014年就用过Everspin的MRAM了，也不知道为什么这么多年了还是没见到MRAM的大规模普及，有没有业内大神 ...

我们一直使用的是飞思卡尔的MRAM, MRAM所面临的最大障碍是理论上很难实现微细化。虽然飞思卡尔率先推出了产品,但该产品的容量只有4Mb,从成本和容量上看都无法与最大容量可达8Gb的NAND闪存及512Mb容量占主流的DRAM相抗衡。MRAM很难实现微细化是因为工艺的微细化将会导致存储单元的写入电流增大。只要采用目前的方式,让电流流经与存储数据的TMR(隧道磁阻)元件相邻的布线,通过产生的磁场改变元件磁化方向,就无法解决电流增大的问题。要想从根本上解决该问题,目前被公认为最好的方法是自旋注入磁化翻转法。该方法仅让电流流经TMR元件,就可以翻转磁化。索尼在2005年底研制出了使用该方式的8Kb存储单元阵列,但还没有公解决了良率问题,飞思卡尔此次能领先于其他竞争对手成功量产MRAM的最大原因是,他们通过改变写入方式,解决了以往产品良率一直很低的问题.

eric2013 · 发表于 2020-10-27 02:16:34

李益达发表于 2020-10-26 15:46
我们一直使用的是飞思卡尔的MRAM, MRAM所面临的最大障碍是理论上很难实现微细化。虽然飞思卡尔率先推出了 ...

这个Ambiq出了个比较强的，带2MB MRAM。

Ambiq继续引领低功耗单片机，新款Apollo4将2MB MRAM作为Flash，运行态功耗低至3uA/MHz
http://www.armbbs.cn/forum.php?m ... 0013&fromuid=58
(出处: 硬汉嵌入式论坛)

78028048 · 发表于 2020-10-28 16:40:48

看了nxp和Everspin的MRAM，发现vcc高，这对于电池应用来说，基本就没法用，FRAM可以到1.7，1.8，这对于电池来说才有意义

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