backup RAM 的使用

dy84082666

在F7上可以实现掉电保存备份4K内存功能，使用如下代码：

#define BKP_RAM1  (*(__IO uint32_t *) (BKPSRAM_BASE))

main()
{
  ...

  __HAL_RCC_PWR_CLK_ENABLE();     //RCC_APB1ENR->PWREN
  __HAL_RCC_BKPSRAM_CLK_ENABLE(); //RCC_AHB1ENR->BKPSRAMEN
  HAL_PWR_EnableBkUpAccess();     //PWR_CR1->DBP
  HAL_PWREx_EnableBkUpReg();      //PWR_CSR1->BRE

  ...

  BKP_RAM1 = 0xAA55AA55;
}

dy84082666

H7的HAL函数与F7的不同，且还有一个需要注意的地方，给我带来不小的困扰。
本来是想发帖求助，后来自己解决了，测试从昨天到今天，一天时间，完成H7的备份RAM区域掉电保护。

#define BKP_RAM1  (*(__IO uint32_t *) (D3_BKPSRAM_BASE))

main（）
{

  __HAL_RCC_BKPRAM_CLK_ENABLE(); //RCC_AHB4ENR->BKPRAMEN(H7) // RCC_AHB1ENR->BKPSRAMEN(F7)  //使能备份RAM读写时钟
  //HAL_PWR_EnableBkUpAccess();     //PWR_CR1->DBP(H7/F7) //取消写保护
  HAL_PWREx_EnableBkUpReg();      //PWR_CR2->BREN(H7) // PWR_CSR1->BRE(F7)  使能备份调节器


  BKP_RAM1 = 0xAA55AA55;
}

H7和F7不一样。
首先，你会发现备份域在D3，D3是低功耗外设域，所有有关低功耗的都在这里。
其次，H7上电不对backup RAM进行写保护，E文文档中说只对RTC寄存器和RTC备份寄存器写保护。所以“//”注释掉。

如果在函数中只使用到上面两行，你会发现，RAM不能掉电保存。这也是困扰了我比较久的问题。
解决方法，增加一条语句

  SCB->CACR |= 1<<2;

因为我开了指令和数据Cache，上面语句的作用是DCache透写，关于透写这个名词，就不在这里解释了。资料写的很清楚，而我说不清楚。





补充一个关键点，RTC必须初始化。

leiyitan

楼主能不能出个简单的教程

dy84082666

leiyitan 发表于 2018-8-21 06:58
楼主能不能出个简单的教程

想使用备份RAM，遇到困难直接在帖子里留言啊，我负责教会，这个功能很简单。
我也是在学习H7这款芯片，教程什么的，真不敢当啊。

eric2013

dy84082666 发表于 2018-8-20 16:27
H7的HAL函数与F7的不同，且还有一个需要注意的地方，给我带来不小的困扰。
本来是想发帖求助，后来自己解 ...

感谢楼主分享

艾那的小强

dy84082666 发表于 2018-8-20 16:27
H7的HAL函数与F7的不同，且还有一个需要注意的地方，给我带来不小的困扰。
本来是想发帖求助，后来自己解 ...

学习一下硬汉哥的MPU配置， cache就可以照常打开了。

perfect

请教一下，我现在用H743，使用back ram的时候，发现对其uint32_t类型的变量修改，掉电后可以保存；
对于uint8_t变量的修改，修改后的数据读取正常，但是掉电不保存。这是为什么
struct __attribute__((aligned(256))) record
{
   ....
    uint32_t   StartTime;
    uint32_t   stopTime;  
    ....
    uint8_t    all;
    uint8_t    valid;            
    uint8_t     reserved1;
    uint8_t     reserved2;
};
struct record __attribute__((section (".BACKUP_SRAM")))  m_record = {0};

修改的代码：
m_record.StartTime = 1714286661；
m_record.all = 1;

1714286661会保存，1掉电重启后不保存

eric2013

perfect 发表于 2024-4-28 14:44
请教一下，我现在用H743，使用back ram的时候，发现对其uint32_t类型的变量修改，掉电后可以保存；
对于ui ...

这个没有深究过，不知道跟这个是不是类似

STM32H7软件复位NVIC_SystemReset后，各个RAM继续保持原有数据的问题总结（2019-10-03）
https://www.armbbs.cn/forum.php? ... 5217&fromuid=58
(出处: 硬汉嵌入式论坛)

perfect

eric2013 发表于 2024-4-29 08:10
这个没有深究过，不知道跟这个是不是类似

STM32H7软件复位NVIC_SystemReset后，各个RAM继续保持原有数 ...

看起来有点像了。
我这边还复现到，如果开启了cache，并且赋值后调用SCB_CleanCache，重启后也还是可以保存的。
不过当前项目不能开cache。

我再去看看，多谢啦

郭震2009

大佬，  最近也在研究这个H7的System Backup SRAM.
我的想法是 在 系统hardfault 是更新必要的信息到这个  System Backup SRAM里。  因为掉电不丢失，下次上电我可以主动查询这里面的信息。

实际调试结果是 在 正常程序里写入时成功的，掉电后（rtc有电池）再次上电可以拿到以前的数据。
但是同样的写入过程，放在 hardfault代码里，是不行的， 太奇怪了，为什么hardfault时无法编程这个 System Backup SRAM。

eric2013

郭震2009 发表于 2024-10-14 17:40
大佬，  最近也在研究这个H7的System Backup SRAM.
我的想法是 在 系统hardfault 是更新必要的信息到这个  ...

这个确实比较奇怪，是不是放在其它的中断里面也不正常，另外你这里进入硬件异常并写入BK后，是不是做软件复位处理了。

SJUMP

郭震2009 发表于 2024-10-14 17:40
大佬，  最近也在研究这个H7的System Backup SRAM.
我的想法是 在 系统hardfault 是更新必要的信息到这个  ...

在hardfault 里面操作 backup ram 我试过是可以的。但是我是保存之后直接复位的，所有区域都是有电的。你看看开机的时候是不是那个地方清除了 backup ram。

郭震2009

这么奇怪吗，  我的软件有一个命令行交互， 我在命令行交互里 往backup ram里写入一个 a值，  然后命令行交互的另外一个地方造一个hardfault, 在hardfault里写入b值
实际断电测试，发现都是a值，  无论a值改成什么，都是命令行交互里给的那个值。    后面我写入flash里了。
这个大佬既然肯定 hardfault 里面可以操作 backup ram，  我在继续研究一下。