NT5TU32M16DG-BE小知识

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NT5TU32M16DG-BE小知识

描述
      NT5TU32M16DG-BE双倍数据速率2（DDR2）DRAM是一种高速CMOS双倍数据速率2 SDRAM，包含536,870,912位。它被内部配置为四存储体DRAM。
      NT5TU32M16DG-BE芯片组织为16Mbit×8 I / O×4 bank或8Mbit x16 / O×4 bank设备。对于一般应用，这些同步器件可实现高达1066 Mb / sec / pin的高速双倍数据速率传输速率。该芯片的设计符合所有关键的DDR2 DRAM主要特性：（1）发布附加延迟的CAS，（2）写延迟=读延迟-1，（3）正常和弱强度数据输出驱动，（4）变量数据输出阻抗调整和（5）ODT（On-Die Temination）功能。
       所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK下降）处被触发。所有/ Os以源同步方式与单端DQS或差分DQS对同步。用于x8组织组件的14位地址总线和用于×16组件的13位地址总线用于传送行，列和组地址设备。这些器件采用1.8V±0.1V单电源供电，采用BGA封装。

特征
·1.8V±0.1V电源电压
·Data-Strobes：双向，差异
·4个内部存储库
·支持工业级温度-40C~95℃
·可编程CAS延迟：工作温度（-3Cl / -AClI）
3,4,5（-3℃/ -3℃/ -AC / -ACI / -BD / -BE）
·1KB页面大小forx86（-AC / -ACI / -BD / -BE）2KB页面大小×167（-BD / -BE）
·强大和弱强度的数据输出驱动器
·可编程附加延迟：0,1,2,3,45·自动刷新和自刷新
·写延迟=读延迟-1
·节能省电模式
·可编程突发长度：
·最多7.8 us平均周期性刷新间隔
·4和8可编程顺序/交错突发
·符合RoHS标准，无卤素
·OCD（片内驱动器阻抗调整）
·包装：
·ODT（片内端接）84-Ball BGA，用于×16元件
·4位预取架构