快速了解K9WAG08U1E-SCB0

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快速了解K9WAG08U1E-SCB0

一般说明
       K9WAG08U1E-SCB0采用1Gxbit，8G位NAND闪存，备用256M位。其NAN D单元为固态应用市场提供了最具成本效益的解决方案。在（2K + 64）字节页面上可以在典型的200 us中执行编程操作，并且可以在1.5ms的时间内执行操作在（128K + 4K）字节块上。数据寄存器中的数据可以每个字节25ns周期时间读出。 I / O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。片上写入控制辊可自动执行所有编程和擦除功能，包括需要时的脉冲请求，以及内部验证和数据裕度。即使是写密集型系统，也可以通过提供ECC（纠错码）和实时映射算法，充分利用K9WAG08U1E-SCB0的100K编程/电子周期的可扩展可靠性。 K9WAG08U1E-SCB0是大型非离子存储应用的最佳解决方案，例如固态文件存储和其他需要非易失性的便携式应用。
       标准TsOPI pacikage还提供具有两个8Gb堆叠和两个芯片选择的uitra高密度解决方案。

特征
·电压供应
-2.70V?3.60V
·组织
-Memory Cell Array：（1G + 32M）x8bit
- 数据寄存器：（2K + 64）x8bit
·自动编程和擦除
-Page Program：（2K + 64）字节
- 块擦除：（128K + 4K）字节
·页面阅读操作
- 页面大小：（2K + 64）字节
-Random阅读：25us（最大）
- 快速访问：25ns（最小）
·快速写周期时间
- 页面编程时间：200美元（典型值）
- 块擦除时间：1.5ms（典型值）
·命令/地址/数据多个xed I / O端口
·硬件数据保护
- 电源转换期间的程序/擦除锁定
·可靠的CMOS浮栅技术耐用性：100K编程/擦除周期（1bit / 512Byte ECC）
- 数据保留：10年
·命令驱动操作
·内置1bit / 528Byte EDC的智能复制
·版权保护的唯一ID
·包装：
- K9K8G08U0A-PCBO / PIB048-Pin TSOP I（12×20 / 0.5mm间距）
- K9WAG08U1A-PCBO / PIBO
48引脚TSOPI（12x20 / 0.5mm间距）
- K9WAG08U1A-ICBO / IIBO
52引脚TLGA（12x17 / 1.0 mm间距）