MBR10150CT那些参数

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MBR10150CT那些参数

描述
      MBR10150CT肖特基二极管，在制造中采用的主要工艺技术包括：硅外延衬底，Pt环技术，势阱金属和硅合金技术，器件采用两片芯片，conmon阴极，塑料半封装结构。

主要特征
◆半桥整流，共阴极结构。
◆多层金属 - 硅电位结构。
◆低功耗，高效率。
◆美观的高温特性。
◆具有过压保护回路，可靠性高。
◆RoHs产品。
◆操作温度：150℃
◆储存温度：-50℃至+ 150℃
◆每个iodeThermal Resistance 4C / W Junction to Case
◆总热阻2.4°C / W结至外壳

主要用途
◆低压高频开关电源。
◆低压高频逆变电路。
◆低压持续电路和保护电路。