|
|
看到论坛里有人发的H750下载算法，但没有对实现的原理和大概方法做过描述，难免会有点知其然不知其所以然的感觉，找到一篇文章，转载过来，希望有用。
在Realview MDK中，Flash烧写算法不是通用的，都是针对具体的Flash存储芯片的。由于市面上的Flash种类比较多，所以Realview MDK不可能包含所有的Flash芯片烧写程序。但是在具体的应用中，开发者在Realview MDK中可能会找不到自己所需要的Flash烧写程序，这时，用户就必须自己添加Flash烧写程序。本文将详细的探讨这种方法。
Realview MDK已经定义好了添加到其中的Flash烧写算法的接口，包括1个描述Flash芯片的结构体和6个对Flash芯片操作的函数定义。详细的内容可以参考下面的代码。
struct FlashDevice {
unsigned short Vers; // 体系结构及版本号；
char DevName[128]; // 设备的名称及描述；
unsigned short DevType; // 设备的类型，例如: ONCHIP, EXT8BIT, EXT16BIT等等；
unsigned long DevAdr; // 默认设备的起始地址；
unsigned long szDev; // 设备的总容量；
unsigned long szPage; // 页面的大小；
unsigned long Res; // 保留，以便将来扩展之用；
unsigned char valEmpty; // Flash擦除后储存单元的值；
unsigned long toProg; // 页写函数超时的时间；
unsigned long toErase; // 扇区擦除函数超时的时间；
struct FlashSectors sectors[SECTOR_NUM]; //扇区的起始地址及容量设置数组。
};
extern int Init (unsigned long adr, unsigned long clk, unsigned long fnc);
extern int UnInit (unsigned long fnc);
extern int BlankCheck (unsigned long adr, unsigned long sz, unsigned char pat);
extern int EraseChip (void);
extern int EraseSector (unsigned long adr);
extern int ProgramPage (unsigned long adr, unsigned long sz, unsigned char *buf);
extern unsigned long Verify (unsigned long adr, unsigned long sz, unsigned char *buf);
在Realview MDK中，添加Flash烧写算法的实质就是填充上面的那个结构体以及实现那6个函数。至于几个函数是如何被Realview MDK调用的，用户不必关心，这些是由Realview MDK自动管理的，只要正确的实现了上面的那些内容，开发者就可以将Realview MDK编译链接后的程序下载到自己的Flash芯片中去。下面是添加一个Flash烧写的详细步骤：
1. 在C:\Keil\ARM\Flash下新建一个空的子文件夹；
2. 在Flash文件夹中选择一个已存在的，且和欲添加的Flash算法相近的内容(如 ..\ARM\Flash\LPC_IAP_256) 拷贝到这个新文件中，并将此算法作为新算法的模板；
3. 重命名工程文件LPC_IAP_256.UV2以表示新的Flash ROM设备名,如29F400.UV2并用μVision IDE将其打开；
4. 在对话框Project - Options for Target - Output 中将所有的输出文件名(如 LPC_IAP_256)替换为新的设备名；
5. 编辑FlashPrg.C文件并为EraseChip, EraseBlock及ProgramBlock定义函数代码。在函数Init和UnInit中编写算法所需的初始化以及卸载代码；
6. 在文件FlashDev.C中的struct FlashDevice结构体中定义设备参数；
7. 重新编译工程，将在C:\Keil\ARM\Flash文件夹下生成*.FLX 格式的Flash编程算法。此文件即为所添加的Flash编程算法；
8. 使用Configure Flash Download 中的Add按钮可将此编程算法文件添加到目标应用工程中。
|
|
发表于 2020-3-13 08:57:15
