疑难症状。。GRAPHIC控件刷新速度

caicaptain2

我的主板上是F103外加512KB SRAM。此电路板的FSMC的SRAM地址都是与armfly相同，SRAM是嘉利创上买的10ns的，都不应该有差池。
同一个程序，含emwin和FreeRTOS，仅一个emwin任务。GRAPHIC控件是每秒刷新一次，即每秒添加一个数据，图形往左边走一格。
emwin使用内部RAM的时候，图形刷新正常，每秒走一格，文本控件刷新也正常。 emwin使用外部SRAM的时候，文本刷新正常，一秒一次，但是graphic控件很随机的几秒钟才刷新一次，刷新的时候可以把这几秒的数据都刷出来。。
外部SRAM使用了例程里面的读写检查函数，一切都是正常的。

然后，用emwin例程中的例子，使用F103内部RAM，图形正常。使用外部SRAM，图形的上部几行有花屏，其他90%的面积都是正常的。。。

反复修改SRAM的FSMC的参数，故障现象相同，思路已经呆了。。。。求分析。

eric2013

你的SRAM是不是离F1比较远，一定要够近，另外就是降低SRAM所涉及到GPIO的速度等级，先搞到最低，然后逐步提升试试

caicaptain2

eric2013 发表于 2019-7-1 15:19
你的SRAM是不是离F1比较远，一定要够近，另外就是降低SRAM所涉及到GPIO的速度等级，先搞到最低，然后逐步提 ...

它们很近啊，比安富莱的demo板还近呢。。。
关键是读写校验函数的结果都是正常的。

eric2013

caicaptain2 发表于 2019-7-1 15:21
它们很近啊，比安富莱的demo板还近呢。。。
关键是读写校验函数的结果都是正常的。

测试的时候一定要是大批量数据做测试，8bit，16bit和32bit数据都测试一遍，且一定要是大批量的

caicaptain2

初步感觉，因为外置SRAM和TFT都用到了FSMC总线，它们在互相使用时有冲突。 比如tft的控制器需要连续读写时，可能插入了SRAM的操作，造成部分数据错乱。

eric2013

caicaptain2 发表于 2019-7-1 16:13
初步感觉，因为外置SRAM和TFT都用到了FSMC总线，它们在互相使用时有冲突。 比如tft的控制器需要连续读写时 ...

这个完全不影响，F1的几个提高篇Demo，我都是用的外部SRAM。

首先单任务或者裸机的情况下，TFT和SRAM都是在一个任务里面，不存在切换问题。

然后就是多任务和中断与任务都操作FSMC设备，我在H7和F429上专门验证过，由于我们的板子都有一个FMC扩展IO，测试几百KHz的中断狂刷FMC扩展IO，完全不影响FMC外接的SDRAM做LCD显存。

最后根本上来说，只要你的硬件没问题，FSMC作为硬件操作，他们是操作在不同的地址上的设备，基本不会有相互干扰的。数据基本是不会出错的。

caicaptain2

eric2013 发表于 2019-7-1 16:43
这个完全不影响，F1的几个提高篇Demo，我都是用的外部SRAM。

首先单任务或者裸机的情况下，TFT和SRAM ...

测试到现在，你的观点应该是对的。

目前发现，如果关闭 WM_CF_MEMDEV，界面有点闪，但是graphic的曲线刷新就都是正常的。
一旦打开了memdev，graphic的刷新有撕裂，不刷新的色块，和刷新暂停几秒等问题。

caicaptain2

caicaptain2 发表于 2019-7-2 13:49
测试到现在，你的观点应该是对的。

目前发现，如果关闭 WM_CF_MEMDEV，界面有点闪，但是graphic的曲线 ...

今天终于找到重要/主要原因了。
这种花屏现象只在这种情况下出现： F103芯片同时配置了外部SRAM和TFT，且TFT的排线比较长（我这里是30cm），且开启了memdev，且emwin的缓存设定在外部SRAM。如果缓存设定在内部RAM，或者关闭memdev，或者排线变短，花屏就消失了。
原因是，TFT排线和SRAM同时连接了FSMC数据的16根线，而且数据的16根线由于长排线的延长易受干扰。液晶模块上的数据线地址线全部都串联了33欧姆电阻抗干扰。而arm板上的f103和SRAM之间没有这种措施。

emwin的缓存需要快速的大量的读写，外部fsmc的速度有限，刷屏速度就不好，也不可靠。下一步，数据线16根的pcb布局，arm就近直连SRAM，然后串联33欧姆电阻到tft的排线插座

eric2013

caicaptain2 发表于 2019-7-3 14:13
今天终于找到重要/主要原因了。
这种花屏现象只在这种情况下出现： F103芯片同时配置了外部SRAM和TFT， ...

谢谢告知最终原因。