在QSPI 映像模式运行下改写内部128K Flash的数据

owen3132

目前程序代码跑在外部 QSPI 映像模式下运行, 但我想要去修改内部128K Flash里头的数据, 不知道哪位大大曾经做过这样的实验能否提供方法?

eric2013

程序跳转到QSPI运行后，直接调用HAL库的读写擦除API操作即可。

owen3132

Eric大大~
您说的调用HAL库的API是类似HAL_FLASHEx_Erase/HAL_FLASH_Program吗? 如果是我有测试过Erase功能似乎无法正常抹除数据, 设定代码如下, 是否能帮忙看看哪里出了问题?^^

    FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
   
    if (HAL_FLASH_Unlock() == HAL_ERROR) return;
   
    /* Fill EraseInit structure*/
    EraseInitStruct.TypeErase    = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;
    EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_4;
    EraseInitStruct.Banks        = FLASH_BANK_1;
    EraseInitStruct.Sector       = FLASH_SECTOR_1;
    EraseInitStruct.NbSectors    = 7;
    if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &EraseError) != HAL_OK)
    {
        Error_Handler();
    }
    HAL_FLASH_Lock();

eric2013

owen3132 发表于 2023-1-10 15:44
Eric大大~
您说的调用HAL库的API是类似HAL_FLASHEx_Erase/HAL_FLASH_Program吗? 如果是我有测试过Erase功 ...

试试我们此章节配套例子的驱动
https://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=86980

owen3132

感谢Eric大大, 我来好好研究一番~
另外因为我是用 STM32H750xB 所以只有一个 128K Flash, 是否按照您的范例方式也可以办得到?

eric2013

owen3132 发表于 2023-1-13 13:35
感谢Eric大大, 我来好好研究一番~
另外因为我是用 STM32H750xB 所以只有一个 128K Flash, 是否按照您的范 ...

没问题。