本帖最后由 zhouyalong 于 2024-6-3 16:06 编辑
看着正点原子的stm32f103的片上flash代码移植到自己的工程中出错，因为stm32g473的hal库中没有半字写入，所以我把他改成了以双字（64位）的形式写入数据。每次写入一个双字，然后地址增加4，
stm32f103中的宏定义为：
#define FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD 0x01U /*!<Program a half-word (16-bit) at a specified address.*/
#define FLASH_TYPEPROGRAM_WORD 0x02U /*!<Program a word (32-bit) at a specified address.*/
#define FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD 0x03U /*!<Program a double word (64-bit) at a specified address*/
stm32g473中为：
#define FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD 0x00U /*!< Program a double-word (64-bit) at a specified address.*/
#define FLASH_TYPEPROGRAM_FAST 0x01U /*!< Fast program a 32 row double-word (64-bit) at a specified address.
And another 32 row double-word (64-bit) will be programmed */
#define FLASH_TYPEPROGRAM_FAST_AND_LAST 0x02U /*!< Fast program a 32 row double-word (64-bit) at a specified address.
And this is the last 32 row double-word (64-bit) programmed */
下面是我的代码
[C] 纯文本查看 复制代码 u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
return *(vu16 *)faddr;
}
#if STM32_FLASH_WREN // 如果使能了写
// 不检查的写入
// WriteAddr:起始地址
// pBuffer:数据指针
// NumToWrite:半字(16位)数
// 以**半字（16位）**的形式写入数据。每次写入一个半字，然后地址增加2。这是因为一个半字包含1个16位的数据，所以地址需要增加2。
// void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr, u16 *pBuffer, u16 NumToWrite)
// {
// u16 i;
// for (i = 0; i < NumToWrite; i++)
// {
// HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, WriteAddr, pBuffer);
// WriteAddr += 2; // 地址增加2.
// }
// }
// 以**双字（64位）**的形式写入数据。每次写入一个双字，然后地址增加4。这是因为一个双字包含4个16位的数据，所以地址需要增加4。
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr, u16 *pBuffer, u16 NumToWrite)
{
u16 i;
u32 buffer;
for (i = 0; i < NumToWrite; i += 2)
{
buffer = ((u32)pBuffer) | ((u32)pBuffer[i + 1] << 16);
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, WriteAddr, buffer);
WriteAddr += 4; // 地址增加4.
}
}
// 从指定地址开始写入指定长度的数据
// WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
// pBuffer:数据指针
// NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
#if STM32_FLASH_SIZE < 256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 // 字节
#else
#define STM_SECTOR_SIZE 2048
#endif
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE / 2]; // 最多是2K字节
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr, u16 *pBuffer, u16 NumToWrite)
{
u32 secpos; // 扇区地址
u16 secoff; // 扇区内偏移地址(16位字计算)
u16 secremain; // 扇区内剩余地址(16位字计算)
u16 i;
u32 offaddr; // 去掉0X08000000后的地址
if (WriteAddr < STM32_FLASH_BASE || (WriteAddr >= (STM32_FLASH_BASE + 1024 * STM32_FLASH_SIZE)))
return; // 非法地址
HAL_FLASH_Unlock(); // 解锁
offaddr = WriteAddr - STM32_FLASH_BASE; // 实际偏移地址.
secpos = offaddr / STM_SECTOR_SIZE; // 扇区地址 0~127 for STM32F103RBT6
secoff = (offaddr % STM_SECTOR_SIZE) / 2; // 在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain = STM_SECTOR_SIZE / 2 - secoff; // 扇区剩余空间大小
if (NumToWrite <= secremain)
secremain = NumToWrite; // 不大于该扇区范围
while (1)
{
STMFLASH_Read(secpos * STM_SECTOR_SIZE + STM32_FLASH_BASE, STMFLASH_BUF, STM_SECTOR_SIZE / 2); // 读出整个扇区的内容
for (i = 0; i < secremain; i++) // 校验数据
{
if (STMFLASH_BUF[secoff + i] != 0XFFFF)
break; // 需要擦除
}
if (i < secremain) // 需要擦除
{
FLASH_PageErase(secpos * STM_SECTOR_SIZE + STM32_FLASH_BASE, FLASH_BANK_1); // 擦除这个扇区
FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); // 等待上次操作完成
CLEAR_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PER); // 清除CR寄存器的PER位，此操作应该在FLASH_PageErase()中完成！
// 但是HAL库里面并没有做，应该是HAL库bug！
for (i = 0; i < secremain; i++) // 复制
{
STMFLASH_BUF[i + secoff] = pBuffer;
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos * STM_SECTOR_SIZE + STM32_FLASH_BASE, STMFLASH_BUF, STM_SECTOR_SIZE / 2); // 写入整个扇区
}
else
{
FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); // 等待上次操作完成
STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr, pBuffer, secremain); // 写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
}
if (NumToWrite == secremain)
break; // 写入结束了
else // 写入未结束
{
secpos++; // 扇区地址增1
secoff = 0; // 偏移位置为0
pBuffer += secremain; // 指针偏移
WriteAddr += secremain * 2; // 写地址偏移(16位数据地址,需要*2)
NumToWrite -= secremain; // 字节(16位)数递减
if (NumToWrite > (STM_SECTOR_SIZE / 2))
secremain = STM_SECTOR_SIZE / 2; // 下一个扇区还是写不完
else
secremain = NumToWrite; // 下一个扇区可以写完了
}
};
HAL_FLASH_Lock(); // 上锁
}
#endif
// 从指定地址开始读出指定长度的数据
// ReadAddr:起始地址
// pBuffer:数据指针
// NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr, u16 *pBuffer, u16 NumToRead)
{
u16 i;
for (i = 0; i < NumToRead; i++)
{
pBuffer = STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr); // 读取2个字节.
ReadAddr += 2; // 偏移2个字节.
}
}
其中函数STMFLASH_Write_NoCheck被注释的是正点原子的代码，下面是我修改的，现在的问题就是，我测试的时候在地址0X08070000上写入"STM32F103 FLASH TEST",但是读出来的只有STM3，后面的内容都没有了，这是什么问题？求大佬解答
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发表于 2024-6-3 16:05:38
发表于 2024-6-4 10:08:56
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