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玩转EEPROM——全面指南

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发表于 2024-6-30 18:37:12 | 显示全部楼层 |阅读模式
玩转EEPROM——全面指南
EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)是一种能够在断电后保存数据的存储器,广泛应用于存储配置参数和少量数据的场景。本文将带您深入了解EEPROM的基础知识、常见操作及其在实际应用中的使用技巧,并介绍如何使用EVASH开发测试板进行开发和测试。
EEPROM基础知识什么是EEPROM?
EEPROM是一种非易失性存储器,可以电擦除和重编程。与其他存储器相比,EEPROM具有以下特点:
  • 非易失性:断电后数据仍然保留。
  • 可擦除:可以擦除并重新写入数据。
  • 编程灵活:可以按字节或页面编程。
EEPROM的主要参数
在选择EEPROM时,需要关注以下几个主要参数:
  • 存储容量:通常以位或字节为单位(如256Kb,即32KB)。
  • 读写速度:读写数据的速度,通常较慢。
  • 耐久性:擦写次数的限制,通常为10万至100万次。
  • 接口类型:常见的接口有I²C、SPI和并行接口。
使用EVASH开发测试板开发测试板简介
EVASH EEPROM开发测试板(如下图所示)设计用于帮助用户快速上手并测试EEPROM芯片。测试板上集成了EV24C256A EEPROM芯片,支持1.7V至5.5V的工作电压。



开发测试板功能与连接
  • VDD: 电源输入,范围1.7V至5.5V。
  • GND: 电源地。
  • WP: 写保护引脚,高电平时写保护使能。
  • SCL: I²C时钟信号。
  • SDA: I²C数据信号。
  • A0, A1, A2: 地址引脚,通过接地或连接到电源选择I²C地址。
开发测试板使用步骤
  • 连接电源和地: 将VDD和GND分别连接到电源和地。
  • 连接I²C接口: 将SCL和SDA分别连接到主控器的I²C时钟和数据引脚。
  • 配置地址引脚: 根据需要配置A0、A1和A2引脚,选择合适的I²C地址。
基本操作1. 初始化
在使用EEPROM之前,需要进行初始化配置。以下是使用Arduino初始化I²C接口的示例代码:
cpp复制代码

#include <Wire.h>void setup() {  Wire.begin(); // 初始化I&#178;C接口  Serial.begin(9600); // 初始化串口通信}void loop() {  // 主要操作放在这里}

2. 写入数据
向EEPROM写入数据的步骤如下:
  • 开始传输:启动I&#178;C通信。
  • 发送设备地址:发送EEPROM的I&#178;C地址。
  • 发送存储地址:指定要写入数据的位置。
  • 发送数据:发送要写入的数据。
  • 结束传输:终止I&#178;C通信。
示例代码:
cpp复制代码

#define EEPROM_ADDRESS 0x50void writeEEPROM(int deviceAddress, unsigned int eepromAddress, byte data) {  Wire.beginTransmission(deviceAddress);  Wire.write((int)(eepromAddress >> 8));   // 高字节地址  Wire.write((int)(eepromAddress & 0xFF)); // 低字节地址  Wire.write(data);  Wire.endTransmission();  delay(5); // 写入延迟}

3. 读取数据
从EEPROM读取数据的步骤如下:
  • 开始传输:启动I&#178;C通信。
  • 发送设备地址:发送EEPROM的I&#178;C地址(写模式)。
  • 发送存储地址:指定要读取数据的位置。
  • 重新开始传输:重新启动I&#178;C通信(读模式)。
  • 请求数据:请求从EEPROM读取数据。
  • 接收数据:读取数据并存储到变量中。
  • 结束传输:终止I&#178;C通信。
示例代码:
cpp复制代码

byte readEEPROM(int deviceAddress, unsigned int eepromAddress) {  byte data = 0xFF;  Wire.beginTransmission(deviceAddress);  Wire.write((int)(eepromAddress >> 8));   // 高字节地址  Wire.write((int)(eepromAddress & 0xFF)); // 低字节地址  Wire.endTransmission();  Wire.requestFrom(deviceAddress, 1);  if (Wire.available()) data = Wire.read();  return data;}

高级技术页面写入
一些EEPROM支持页面写入,可以一次写入多个字节,提升写入效率。在写入大量数据时,建议使用页面写入。示例代码如下:
cpp复制代码

void writeEEPROMPage(int deviceAddress, unsigned int eepromAddress, byte* data, int length) {  Wire.beginTransmission(deviceAddress);  Wire.write((int)(eepromAddress >> 8));   // 高字节地址  Wire.write((int)(eepromAddress & 0xFF)); // 低字节地址  for (int i = 0; i < length; i++) {    Wire.write(data);  }  Wire.endTransmission();  delay(5); // 写入延迟}

延长寿命
由于EEPROM的擦写次数有限,需谨慎使用。尽量减少不必要的写入操作,并采用磨损均衡算法分散写入次数,延长EEPROM的使用寿命。
数据校验
为了确保数据的完整性,可以使用校验和或CRC等校验机制,验证读取的数据是否正确。
温度和电压影响
EEPROM的工作性能受温度和电压的影响。在极端条件下,可能需要进行额外的校准和保护措施,确保数据的准确性和持久性。
实际应用配置参数存储
EEPROM常用于存储设备的配置参数,如WiFi设置、校准数据等。这些数据在设备断电后仍需保留,并且可以在运行时更新。
数据日志记录
EEPROM可以用于存储传感器数据、错误日志等需要持久化的小规模数据。例如,记录温度传感器的历史数据,每次测量后将新数据写入EEPROM。
非易失性存储
在一些关键应用中,需要保存重要的数据,即使在断电的情况下也不丢失。EEPROM是这类应用的理想选择。
结论
EEPROM是一种功能强大的存储器,适用于各种应用场景。从基本操作到高级技巧,掌握这些知识将帮助您充分利用EEPROM的优势,为您的项目提供稳定的非易失性存储解决方案。利用EVASH开发测试板,您可以更快地实现EEPROM的开发和测试,如需更多信息和支持,请访问我们的网址 evash.top

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发表于 2024-7-15 19:57:05 | 显示全部楼层
我有个问题  最近在开发i2c接口的e2prom时,发现一些e2prom读取速度很快,写入速度很慢(一个字节5ms),在编程的时候如果一次写入一长串数据,写入周期很长,程序是以固定时长为周期的循环工作方式,在有e2prom写入的周期,工作时间会超过设定的周期时长,影响整个程序运行的稳定性
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发表于 2024-12-16 10:47:57 | 显示全部楼层
ask张 发表于 2024-7-15 19:57
我有个问题  最近在开发i2c接口的e2prom时,发现一些e2prom读取速度很快,写入速度很慢(一个字节5ms),在 ...

eeprom写入后需要等待5ms才能进行下次写入操作
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