1、想确定驱动电流,关键看MOS手册里的的总栅极电荷Cg的大小。对于高速应用场合,这个是越小越好,当然实际产品还是得综合成本考虑。首先你需要确定你的驱动频率,驱动信号在一个周期内的上升沿与下降沿最大允许时间。假设我们的驱动信号是200KHz,那么一个信号周期T=5μs,而在驱动强度I=4mA的条件下,如果用的MOS是ZXMN6A07Z,在驱动电压12V的情况下,Qg=4nC(手册只给了5V和10V的值,这里是估计,Qg与Vgs正相关),根据Q=I·t,这个Cg充满电的时间t=Qg/I=1μs,这个也就是信号的上升沿时间,下降沿也是一样的,实际上的时间应该会比这个大,因为随着电容电压升高,你的驱动电流不一定能始终维持4mA。
考虑理想的情况,一个周期5μs,上升下降沿分别占了1μs(也就是20%),那么高低电平分别只有1.5ns(30%),我认为这是不能接受的。
现在做一点小小的调整:
A. 假如现在的PWM信号非常牛B,可以有20mA驱动电流,那么Cg充电时间t=0.2μs,上升下降沿分别占了4%,高电平和低电平分别就是46%,这个栅极的驱动信号应该就会很好看了,应该是边沿光滑的方波,对EMI非常友好;
B. 假如你看现在这个12V信号源不爽,换了个5V信号源,这时候查看手册,Qg变为1.65nC,那么Cg充电时间t=0.4125ns,上升下降沿分别占了8.25%,高低电平就是41.75%,这时候的波形也能接受。
所以可以想办法增大驱动电流,或者降低驱动电压或者两个办法都采用(而且完全可以把栅极下拉电阻从10K换成100K,减小对驱动电流的消耗),上面只是简单分析,实际设计一定要留上一些余量。