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讨论贴,怎么判断一个驱动器能否在一定频率下驱动一个nmos管?

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发表于 2024-9-7 18:06:31 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 LY_Bear 于 2024-9-7 18:25 编辑

在设计驱动nmos驱动电路中,各位大神根据nmos数据手册
1、怎么计算出一个驱动器能否在一定频率下很好驱动这个nmos管的呢?
(我用的隔离芯片,输出侧最大只提供4mA电流每通道,在设计驱动电路时犯难,是否需要再加一级ucc27517栅极驱动器?)
1725703337704.png
这个是ZXMN6A07Z(美台)SOT-89封装
1725703306132.png
这个是3N06-MS(美森科)SOT-89封装

2、怎么判断这个nmos管在这个驱动器下能带多大范围阻性负载呢?
(仿真中发现,同一个nmos管,带不同大小的阻性负载,漏极波形有比较大差异,个人考虑是Cds电容问题,不知想法是否有误?)
下图为个人仿真测试,如有错误,欢迎指正❥(^_-)
1725704514426.png
负载3K
1725704468027.png
负载1K

希望各位大神不吝赐教!万分感谢~



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发表于 2024-9-7 22:24:12 | 显示全部楼层
这是用的ADI的LTspice吧,好熟悉的界面。

1、想确定驱动电流,关键看MOS手册里的的总栅极电荷Cg的大小。对于高速应用场合,这个是越小越好,当然实际产品还是得综合成本考虑。首先你需要确定你的驱动频率,驱动信号在一个周期内的上升沿与下降沿最大允许时间。假设我们的驱动信号是200KHz,那么一个信号周期T=5μs,而在驱动强度I=4mA的条件下,如果用的MOS是ZXMN6A07Z,在驱动电压12V的情况下,Qg=4nC(手册只给了5V和10V的值,这里是估计,Qg与Vgs正相关),根据Q=I·t,这个Cg充满电的时间t=Qg/I=1μs,这个也就是信号的上升沿时间,下降沿也是一样的,实际上的时间应该会比这个大,因为随着电容电压升高,你的驱动电流不一定能始终维持4mA。
考虑理想的情况,一个周期5μs,上升下降沿分别占了1μs(也就是20%),那么高低电平分别只有1.5ns(30%),我认为这是不能接受的。
现在做一点小小的调整:
       A. 假如现在的PWM信号非常牛B,可以有20mA驱动电流,那么Cg充电时间t=0.2μs,上升下降沿分别占了4%,高电平和低电平分别就是46%,这个栅极的驱动信号应该就会很好看了,应该是边沿光滑的方波,对EMI非常友好;
       B. 假如你看现在这个12V信号源不爽,换了个5V信号源,这时候查看手册,Qg变为1.65nC,那么Cg充电时间t=0.4125ns,上升下降沿分别占了8.25%,高低电平就是41.75%,这时候的波形也能接受。
所以可以想办法增大驱动电流,或者降低驱动电压或者两个办法都采用(而且完全可以把栅极下拉电阻从10K换成100K,减小对驱动电流的消耗),上面只是简单分析,实际设计一定要留上一些余量。

QQ截图20240907213508.png

2、我认为这里不仅仅是Cds,而是包含了Cds在内的漏极对地的总电容在影响。这个电容配合不同阻值的负载R构成了一个RC网络,它的时间常数τ=RC,而τ越小,电容的充电时间越短,漏极的信号上升沿就越陡峭。至于合适的阻值范围我觉得可以利用仿真找一个差不多的值,然后打板回来配合仿真结果去找出调试的大方向,慢慢将电路搞到最佳状态,这样板子的功能比较容易且迅速的达到预期。只要你的spice模型是在元件厂家官网下载的,仿真结果一般都比较可信。真要计算的话还需要考虑走线布局引入的寄生电容,这种计算就不太准确了。然后还有就是MOS带的负载和驱动器是没关系的,驱动器只是负责MOS栅极的驱动。

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发表于 2024-9-8 15:52:20 | 显示全部楼层
CheneyY 发表于 2024-9-7 22:24
这是用的ADI的LTspice吧,好熟悉的界面。

1、想确定驱动电流,关键看MOS手册里的的总栅极电荷Cg的大小。 ...



牛,这么详细的回复。
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 楼主| 发表于 2024-9-9 10:15:44 | 显示全部楼层
CheneyY 发表于 2024-9-7 22:24
这是用的ADI的LTspice吧,好熟悉的界面。

1、想确定驱动电流,关键看MOS手册里的的总栅极电荷Cg的大小。 ...

大神的回答非常的优秀!
我还有一个问题
就是为啥很少看到P型管的高速输出电路?
是P型管比较麻烦吗?

而且通过LTSpice发现,P管带负载需要比较大电流才会有比较好的波形,
负载电阻变大一些,方波就会有明显失真。
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发表于 2024-9-9 11:19:03 | 显示全部楼层
LY_Bear 发表于 2024-9-9 10:15
大神的回答非常的优秀!
我还有一个问题
就是为啥很少看到P型管的高速输出电路?

是因为NPN是在负载低侧开关,在Vb比较低的情况下就能进入饱和导通状态,几乎不需要考虑设计驱动电路(成本下来了,电路也简化了),可以看看这个 https://www.sohu.com/a/435858141_120051180
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发表于 2024-9-9 11:35:27 | 显示全部楼层
这个原则 第一看你老板有没有要求,NMOS都可以加驱动IC,就是费钱
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发表于 2024-9-9 11:53:14 | 显示全部楼层
CheneyY 发表于 2024-9-7 22:24
这是用的ADI的LTspice吧,好熟悉的界面。

1、想确定驱动电流,关键看MOS手册里的的总栅极电荷Cg的大小。 ...

高手啊,学习了。
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 楼主| 发表于 2024-9-9 13:47:03 | 显示全部楼层
CheneyY 发表于 2024-9-9 11:19
是因为NPN是在负载低侧开关,在Vb比较低的情况下就能进入饱和导通状态,几乎不需要考虑设计驱动电路(成 ...

今天在看一个栅极驱动器的电路时发现,器件的上管用的是NPN管

我搭了下图所示电路仿真了一下,发现效果还是不错的,不知道这样使用
是否有什么坑点,或者不妥?
大佬能帮看看嘛?
1725860493929.png
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发表于 2024-9-9 14:14:13 | 显示全部楼层
LY_Bear 发表于 2024-9-9 13:47
今天在看一个栅极驱动器的电路时发现,器件的上管用的是NPN管

我搭了下图所示电路仿真了一下,发现效 ...

NPN这样用是不合理的,NPN要可靠导通,Vbe必须大于一定的值。NPN这种上边侧用法,Vbe是不稳定的,实际使用可能会碰到部分失效的情况。

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发表于 2024-9-9 22:22:31 | 显示全部楼层
ghslfgkkl88 发表于 2024-9-9 14:14
NPN这样用是不合理的,NPN要可靠导通,Vbe必须大于一定的值。NPN这种上边侧用法,Vbe是不稳定的,实际使 ...

是的,三极管用作开关的首要条件就是管子工作在非线性区,饱和导通。
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发表于 2024-9-9 22:53:54 | 显示全部楼层
LY_Bear 发表于 2024-9-9 13:47
今天在看一个栅极驱动器的电路时发现,器件的上管用的是NPN管

我搭了下图所示电路仿真了一下,发现效 ...

这样用会有问题的,必须确保三极管工作在饱和区(注意使BJT满足工作在饱和区时的结电压条件),NPN一般用作低侧开关,PNP用作高侧开关。
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 楼主| 发表于 2024-9-11 16:10:20 | 显示全部楼层
CheneyY 发表于 2024-9-7 22:24
这是用的ADI的LTspice吧,好熟悉的界面。

1、想确定驱动电流,关键看MOS手册里的的总栅极电荷Cg的大小。 ...

实测了!用的就是上述的两个NMOS,负载51ohm水泥电阻,测试结果如下
NMOS型号ZXMN6A07Z(SOT-89)

RigolDS2.png
CA-IS3740输出端&NMOS栅极驱动信号
RigolDS1.png
NMOS漏极输出信号


NMOS型号2SK2857(SOT-89)
RigolDS3.png
CA-IS3740输出端&NMOS栅极驱动信号
RigolDS4.png
NMOS漏极输出信号

菜鸟我有两个问题
1、凭借大佬自己的经验,这两个MOS管,哪个会更好一些呢?
2、这个漏极的上下冲如何改善嘞?

希望大佬不吝赐教!

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发表于 2024-9-11 19:54:01 | 显示全部楼层
LY_Bear 发表于 2024-9-11 16:10
实测了!用的就是上述的两个NMOS,负载51ohm水泥电阻,测试结果如下
NMOS型号ZXMN6A07Z(SOT-89)

我其实是入行没多久正在积累经验的菜鸡,干硬件太吃经验了
1、刚刚立创找了一下,这两个管子你们是准备用台舟的吗,台舟的管子两份手册一模一样,我有点担心数据的真实性,但是从波形来看管子区别不大,哪个便宜用哪个。栅极波形在每个周期的上升下降沿上都扭了一下,那里应该是米勒平台,正常现象,可以加大驱动电流。
2、这里振铃是上升沿和下降沿都出现了,看着像是开关噪声,比较好办。应该可以用DCDC抑制开关节点振铃的套路尝试一下,在漏极搞一个RC snubber,可以直接串一个6.8Ω+470pF到地,然后慢慢调这两个玩意,C越大对振铃的抑制越明显,但是损耗也越大,我给个ti的手册给你看看。 zhcaa52减小同步 Buck 变换器开关节点振荡的三种方法.pdf (914.48 KB, 下载次数: 3)
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 楼主| 发表于 2024-9-12 08:51:21 | 显示全部楼层
CheneyY 发表于 2024-9-11 19:54
我其实是入行没多久正在积累经验的菜鸡,干硬件太吃经验了
1、刚刚立创找了一下,这两个管子你们是 ...

2SK2857用的是台舟的,这个mos数据手册和美森科的3N06-MS几乎一样,但是3N06-MS更便宜

ZXMN6A07Z是美台的,这玩意立创老贵了,3块多一片;淘宝也要1块一片,不过米勒效应确实比较小。
比较符合数据手册中不到2nC的Qg的描述。

初步决定还是使用美台的ZXMN6A07Z,先做好效果。
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 楼主| 发表于 2024-9-12 10:11:56 | 显示全部楼层
CheneyY 发表于 2024-9-11 19:54
我其实是入行没多久正在积累经验的菜鸡,干硬件太吃经验了
1、刚刚立创找了一下,这两个管子你们是 ...

昨天测输出负载为51ohm,负载电流但是这个输出在高速输出模式下也就输出10mA左右电流,

今天在负载10mA的测试中,美台那个寄生电容小的mos的漏极也出现了比较严重的上升沿失真,这种现象有解决方法吗?
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发表于 2024-9-12 19:35:45 | 显示全部楼层
LY_Bear 发表于 2024-9-12 10:11
昨天测输出负载为51ohm,负载电流但是这个输出在高速输出模式下也就输出10mA左右电流,

今天在负载10m ...

不应该啊,那个电容也很小了,而且频率都没上兆吧,示波器测试用的是弹簧针接地吗,如果用鳄鱼夹接地测出来可能会受干扰
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发表于 2024-9-12 19:38:11 | 显示全部楼层
LY_Bear 发表于 2024-9-12 10:11
昨天测输出负载为51ohm,负载电流但是这个输出在高速输出模式下也就输出10mA左右电流,

今天在负载10m ...

当然和layout也有一定关系,你可以就在漏极搞个rc snubber试试看
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