F407ZG的内部Flash分散文件重定义，以便使用内部Flash做数据存储

caicaptain2

stm32内部的flash可以自己擦除写入，可以选一个page作为数据（参数）存储区，节省一个外部的EEPROM。这个擦除次数大约是10K次。
F103的flash每个page是2k，比较好用。选最后一两个page作为数据存储区，也不会影响到代码的存储，不用修改sct文件。
不幸的是，F407的flash，最后几个page都是128K的，擦除/写入一个page很费事情，而且可能导致代码code的空间不够用。F4的前四个page是16k的，第一个16k是程序引导/中断向量，不可轻易使用。第2~4个page正好用来存数据，第5个page继续开始存code。
F4的flash扇区（page）的分布如下：

F407ZG的Flashdi'zhi

修改后的sct文件如下：
; *************************************************************
; *** Scatter-Loading Description File generated by uVision ***
; *************************************************************
LR_IROM1 0x08000000 0x00004000  {    ; load region size_region
  ER_IROM1 0x08000000 0x00004000  {  ; load address = execution address 第一个16K 的page给初始化代码用。
   *.o (RESET, +First)
   *(InRoot$$Sections)
  }
  RW_IRAM1 0x20000000 0x00000400  {  ; RW data 留了1K RAM给初始化程序使用，实际看map文件，它们其实没有用任何RAM。
   .ANY (+RW +ZI)
  }
}
LR_IROM2 0x08020000 0x000E0000  {    ; load region size_region
  ER_IROM2 0x08020000 0x000E0000  {  ; load address = execution address从第一个128的page开始存储我们的code
   .ANY (+RO)
  }
  RW_IRAM3 0x20000400 0x0001FC00  {  ; RW data  常规RAM区，95K可用。
   .ANY (+RW +ZI)
  }
  RW_IRAM2 0x10000000 0x00010000  {   ; 这个RAM区千万不能给DMA相关变量。可以给emwin或者RTOS做内存。
   .ANY (+RW +ZI)
  }
}

sct文件在哪里呢？请看下图，

sct文件修改

eric2013

还有个方便的办法，直接这样定义，编译器会自动处理。

/* 将16KB 一个扇区的空间预留出来做为参数区 For MDK */
const uint8_t para_flash_area[16*1024] __attribute__((at(ADDR_FLASH_SECTOR_3)));

caicaptain2

eric2013:还有个方便的办法，直接这样定义，编译器会自动处理。

/* 将16KB 一个扇区的空间预留出来做为参数区 For MDK */
const uint8_t para_flash_area[16*1024] __attribute__((at(ADDR_FLASH_SECTOR_3))); (2017-11-16 00:32)

你这个更方面易懂！
怎么不早说！[s:151][s:151]

caicaptain2

eric2013:还有个方便的办法，直接这样定义，编译器会自动处理。

/* 将16KB 一个扇区的空间预留出来做为参数区 For MDK */
const uint8_t para_flash_area[16*1024] __attribute__((at(ADDR_FLASH_SECTOR_3))); (2017-11-16 00:32)

这个方法发现一个问题，mdk把这个flash区域全部初始化为0了。
我希望这块flash能够保持原数据，mdk不能初始化它了。，应该怎么写？

eric2013

caicaptain2:这个方法发现一个问题，mdk把这个flash区域全部初始化为0了。
我希望这块flash能够保持原数据，mdk不能初始化它了。，应该怎么写？

 (2017-11-20 15:00) 

可以修改成这样进行定义：

const uint8_t para_flash_area[16*1024] __attribute__((at(ADDR_FLASH_SECTOR_3))) = {0xFF};

caicaptain2

eric2013:可以修改成这样进行定义：

const uint8_t para_flash_area[16*1024] __attribute__((at(ADDR_FLASH_SECTOR_3))) = {0xFF}; (2017-11-21 01:52)

这个尝试过了，16k空间里面，只有第一个字节初始化为0xff，其他都是0.
其实，我期望的是，编译后，不能对这个空间写任何值，复位后保持原样。

caicaptain2

经过仔细试验后，sct文件方法行不通。
虽然map文件显示，中间的16k flash未被占用，但是程序代码不会自动跳过这个区域。执行到这个地址后，会跑飞。