数据总线干扰导致屏闪烁

keungho

现象：显存为SDRAM，正常工作时，通过文件系统操作NAND FLASH，屏会闪烁一下
基本测试：CPU周期从SDRAM取出图像数据刷新到屏，而操作NAND FLASH是随机的，且总线低8位是共享的，是否操作NAND FLASH时间太长，超过刷新时间，从而导致数据总线上的数据被改变了，从而导致屏闪烁一下
求大神帮忙分析一下

eric2013

楼主，你用的是F429不，然后SDRAM和NAND都是接在FMC总线上面。

这个时候就得注意SDRAM和NAND的操作了，防止总线上面SDRAM和NAND冲突，首先可以试着先降低下SDRAM和NAND各自的通讯速度，看看时候能够解决闪烁问题。

PS:我记得论坛上面以前有个网友问过这个问题。

keungho

谢谢老大的回复，用的439，搜索半天没有收到以前相关的帖子呢，麻烦老大给个链接地址呢，先谢谢了哈，按照您给的方法，我回去好好测试一下

eric2013

keungho:谢谢老大的回复，用的439，搜索半天没有收到以前相关的帖子呢，麻烦老大给个链接地址呢，先谢谢了哈，按照您给的方法，我回去好好测试一下 (2015-04-06 09:41) 

就是这个帖子，看来是个老大难问题啊，好几个人遇到，莫非是个bug：http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=4281

还有一种可能就是硬件布线上FMC总线布线不是很好。无法做到快速切换。

njsssmq

这个问题，我已碰到过。本人认为是429的FMC总线带宽不足。通过下面函数，降低LCD clock可以解决

  RCC_PeriphClkInitStructure.PeriphClockSelection = RCC_PERIPHCLK_LTDC;
  RCC_PeriphClkInitStructure.PLLSAI.PLLSAIN = 200;            
  RCC_PeriphClkInitStructure.PLLSAI.PLLSAIR = 5;              
  RCC_PeriphClkInitStructure.PLLSAIDivR = RCC_PLLSAIDIVR_2;   
  HAL_RCCEx_PeriphCLKConfig(&RCC_PeriphClkInitStructure);