STM32读FLASH的速度和读RAM的速度有区别吗？

云琴箫龙

系统全部参数存储在内部FLASH中，不想再在内存中再拷贝一份了，直接读内部FLASH即可，但是读取的速度会不会有较大差异？
只知道它俩用的不同的总线，不知道速度是否有差距，速度差距有多大？

eric2013

对于F4和F1系列，可以认为没区别。
RAM访问是0等待周期。

而Flash不是，不同主频的等待周期不同。对于这种情况，ST搞了一个Flash的ART加速。可以近乎实现0等待周期。

云琴箫龙

访问FLASH是不是有CPU等待时间？访问RAM没有？

eric2013

云琴箫龙 发表于 2018-6-23 18:45
访问FLASH是不是有CPU等待时间？访问RAM没有？

看楼上回复。

云琴箫龙

做了个简单的测试，访问FLASH中的一个浮点数1万次和访问内存中的一个浮点数1万次，分别记录两者的时间。代码如下        t1 = (uint32_t)CPU_TS_TmrRd();
        for(i=0;i<10000;i++)
        {
                tval = SysParValf(rat_ptp);
        }
        t1 = (uint32_t)CPU_TS_TmrRd()-t1;
        t2 = (uint32_t)CPU_TS_TmrRd();
        for(i=0;i<10000;i++)
        {
                tval = ttcal;
        }       
        t2 = (uint32_t)CPU_TS_TmrRd()-t2;
第一个为113244个时钟周期，平均一次约11个时钟周期
第二个为123226个时钟周期，平均一次约12个时钟周期
这么看来的话，访问FALSH和RAM时间相差无几啊，不知能不能这么理解

eric2013

云琴箫龙 发表于 2018-6-23 18:59
做了个简单的测试，访问FLASH中的一个浮点数1万次和访问内存中的一个浮点数1万次，分别记录两者的时间。
...

可以。

armsun

云琴箫龙 发表于 2018-6-23 18:59
做了个简单的测试，访问FLASH中的一个浮点数1万次和访问内存中的一个浮点数1万次，分别记录两者的时间。
...

运行周期是如何测量的？

云琴箫龙

版主回复迅速，佩服，刚才还在编辑测试呢

eric2013

armsun 发表于 2018-6-23 19:01
运行周期是如何测量的？

学习这个就行，终极调试工具Event Recorder。

http://www.armbbs.cn/forum.php?m ... &extra=page%3D1

armsun

eric2013 发表于 2018-6-23 19:02
学习这个就行，终极调试工具Event Recorder。

http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid ...

威武