CPU内部Flash掉电保存数据

dandelion

想请教一下，用STM32F429单片机做了一块板子，想实现掉电保存数据的功能。将拨动开关一关，然后重启读取数据，数据没有保存住。
用安富莱V6的板子来测试，发现直接断电，PVD中断保存数据，也没有保存，读取Flash的值是0，但不是整个扇区的值都是0。
如果拨动开关拨的慢一点，会有几次重启后数据是保存住的？
请问下是不是直接断电，速度太快，单片机来不及执行保存数据到内部Flash？有什么办法解决吗？

eric2013

那个时间很短暂的，内部Flash不合适，如果带RTC电池的话，断电进入中断后存到备份RAM区就行，比较方便。

dandelion

eric2013 发表于 2018-7-25 15:42
那个时间很短暂的，内部Flash不合适，如果带RTC电池的话，断电进入中断后存到备份RAM区就行，比较方便。

谢谢管理员

dandelion

eric2013 发表于 2018-7-25 15:42
那个时间很短暂的，内部Flash不合适，如果带RTC电池的话，断电进入中断后存到备份RAM区就行，比较方便。

备份RAM怎么操作呢？有相关的例程吗？

dandelion

已解决

eric2013

dandelion 发表于 2018-7-25 22:29
已解决

ps：补充下，方便后面看此贴的网友，有例程，看ST标准库带的例子就行。

dandelion

有相同问题的坛友，可以看下以下链接：https://blog.csdn.net/cp1300/article/details/80539676
其中将 BackupSRAM_Init改成下面程序，
后备SRAM基地址为：#define BKPSRAM_BASE          ((uint32_t)0x40024000) /*!< Backup SRAM(4 KB) base address in the alias region                         */

uint8_t BackupSRAM_Init(void)
{
          RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR, ENABLE);//使能电源接口时钟
        PWR_BackupAccessCmd(ENABLE);//后备区域访问使能(RTC+SRAM)
    RCC_AHB1PeriphClockCmd(RCC_AHB1Periph_BKPSRAM, ENABLE);//备份区SRAM使能//睡眠模式期间的备份 SRAM 接口时钟使能
        PWR_BackupRegulatorCmd(ENABLE);//使能备份调压器,不开启会导致备份SRAM掉电丢失-必须先使能时钟

/*                RCC->APB1ENR|=1<<28;                                        //使能电源接口时钟
        PWR->CR|=1<<8;                                                        //后备区域访问使能(RTC+SRAM)
        SYS_DeviceClockEnable(DEV_BKP,TRUE);        //备份区SRAM使能
        RCC->AHB1LPENR |= BIT18;                                //睡眠模式期间的备份 SRAM 接口时钟使能
        PWR->CSR |= BIT9;                                                //使能备份调压器,不开启会导致备份SRAM掉电丢失-必须先使能时钟*/       
       
        return 1;
}

eric2013

dandelion 发表于 2018-7-27 21:18
有相同问题的坛友，可以看下以下链接：https://blog.csdn.net/cp1300/article/details/80539676
其中将 Ba ...

这个我们V5板子做例子了：
http://www.armbbs.cn/forum.php?m ... &extra=page%3D1