求教：关于W25Q16无法按页地址读写问题

huangxian

我用STM32F030C8外接w25q16做项目，程序开始前我调试过代码能读取到W25Q16的id值表示焊接没出错。然后我要输入的数据比较多大概81个数字为一个组，共有10个组，而W25Q16每块只能存256个数字（0xff），为了不让数字中断也为了超找方便，我将十个组分成4分（3331），使用“void W25QXX_Write_Page(uint8_t* pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint16_t NumByteToWrite)”函数，然后使用“void W25QXX_Read(uint8_t* pBuffer,uint32_t ReadAddr,uint16_t NumByteToRead)”读取数据。之后我发现两个问题：1读取的时候我只能从每个块的首地址开始往后读，不能使用页地址读。2每次读取的时候第一个和第二个数据都时255. 按资料图所说，w25q16应该有63块，每块有256页，每页存一个数据才对，那我应该可以按照页地址读写数据才对，如果我有错，请问要如何才能按照页地址读写数据 我按照块的首地址读写（81*3 = 243）数据的时候,读写形参中的WriteAddr 和 ReadAddr都是0x000000，比如写入数据数据 mcu_w25q16_bufff[243] = {0,1,2,3，---------  7，8，9}；那么读出数据就是 w25q16_mcu_buff[243] = {0xff,0xff,0,1,2,3,---------7};数组扩大的画w25q16_mcu_buff[246] = {0xff,0xff,0,1,2,3----------7,8,9,0xff}; W25Q16资料 读写函数

huangxian

我用STM32F030C8外接w25q16做项目，程序开始前我调试过代码能读取到W25Q16的id值表示焊接没出错。然后我要输入的数据比较多大概81个数字为一个组，共有10个组，而W25Q16每块只能存256个数字（0xff），为了不让数字中断也为了超找方便，我将十个组分成4分（3331），使用“void W25QXX_Write_Page(uint8_t* pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint16_t NumByteToWrite)”函数，然后使用“void W25QXX_Read(uint8_t* pBuffer,uint32_t ReadAddr,uint16_t NumByteToRead)”读取数据。之后我发现两个问题：1读取的时候我只能从每个块的首地址开始往后读，不能使用页地址读。2每次读取的时候第一个和第二个数据都时255. 按资料图所说，w25q16应该有63块，每块有256页，每页存一个数据才对，那我应该可以按照页地址读写数据才对，如果我有错，请问要如何才能按照页地址读写数据 我按照块的首地址读写（81*3 = 243）数据的时候,读写形参中的WriteAddr 和 ReadAddr都是0x000000，比如写入数据数据 mcu_w25q16_bufff[243] = {0,1,2,3，---------  7，8，9}；那么读出数据就是 w25q16_mcu_buff[243] = {0xff,0xff,0,1,2,3,---------7};数组扩大的画w25q16_mcu_buff[246] = {0xff,0xff,0,1,2,3----------7,8,9,0xff};

huangxian

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eric2013

F1的话，使用我们的吧，此贴：
http://www.armbbs.cn/forum.php?m ... &extra=page%3D1

eric2013

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huangxian

已经解决了，谢谢各位。是我自己弄错了。在W25Q16里面一个h可以储存一个数据，但是我一直以为是一个0xff储存一个数据，所以在在选择读取地址时总是跳过256位读取。导致读出空白。