NXP的S3K5系列发布，M7+R52+M4多核，高达41MB MRAM

eric2013

https://www.nxp.com/company/about-nxp/newsroom/NW-NEW-S32K5-MICROCONTROLLER

汽车行业首款采用16纳米FinFET技术并嵌入MRAM的MCU

规格：




框图：








MRAM将成为未来Flash的趋势，S32K5的MRAM写入速度比Flash快15倍。现在已经多家MCU开始使用MRAM替代传统的FLASH.

关于MRAM（磁阻式随机存取内存）
一种非易失性内存技术，从1990年代开始发展。这个技术的拥护者认为，这个技术速度接近SRAM，具有快闪存储器的非易失性，容量密度及使用寿命不输DRAM，平均能耗远低于DRAM，成为真正的通用型内存。
相比FRAM铁电，MRAM性能更加强劲，读写速度更快，支持无限次读写，超宽的耐温范围，可实现超过20年的数据记录。

木兰花

MRAM 好啊

Aker

学习了，MRAM，是NXP家独创的吗