请教 关于SDRAM配置的Write recovery time

cuiwenchi

硬汉哥好！
       一直在论坛泡着几乎不冒泡，今天遇到一问题不懂，想来请教

按照你的参数配置sdram，没有问题，运行也没有问题。
SDRAM_Timing.LoadToActiveDelay = 2;
SDRAM_Timing.ExitSelfRefreshDelay = 7;
SDRAM_Timing.SelfRefreshTime = 4;
SDRAM_Timing.RowCycleDelay = 7;
SDRAM_Timing.WriteRecoveryTime = 2;
SDRAM_Timing.RPDelay = 2;
SDRAM_Timing.RCDDelay = 2;


但我用cubeMX配置，WriteRecoveryTime不让我等于2，最少设置成3，提示如下
Specifies the delay between a Write and a Precharge command in number of     memory clock cycles.
WriteRecoveryTime must satisfy the following     constraints:
1: WriteRecoveryTime >= SelfRefreshTime - RowToColumnDelay,
2:     WriteRecoveryTime >= RowCycleDelay - RowToColumnDelay - RowPrechargeDelay.     

问题是，必须遵守cubeMX的提示配置时序吗？为啥？

eric2013

这个还真没有管过，你可以按照CubeMX的设置使用。

不设置也没影响，我们从F429开始就一直这么用的。

cuiwenchi

今天测试比较了一下速度，我是用了H743VII @ 480M + 4片W9825G6KH，组了两个32位的SDRAM。测试用的随机数，写入再读出比较。只开了I-cache，没开D-cache。keil 优化3级。结论是影响非常非常的小，设成2比设成3快了不到0.2%