ZYNQ里面的一个图也许可以解释H7的GPIO速度慢，而映射为PWM, SDRM等外设后速度快的问题

eric2013

之前测试H7的通用GPIO速度只有20MHz左右，而映射为SDRAM就可以120MHz，映射为PWM也可以轻松100MHz。这个差距太大了，

今天看ZYNQ参考手册，里面有一个图很有意思，ZYNQ映射到高速设备的时候，里面是一级多路选择器，映射为I2C，串口等低速设备时，经过了很多路选择器才到达。

感觉H7的IO引脚做通用IO控制的时候，应该是经过很多通道才到达的，不是直通GPIO控制。

木兰花

根源是代码在flash上执行慢造成的，把代码放到ram上跑能达到io的最大速度

eric2013

木兰花 发表于 2021-11-18 21:08
根源是代码在flash上执行慢造成的，把代码放到ram上跑能达到io的最大速度

在RAM刷不行，因为RAM既要做刷代码，又要刷数据，反倒慢了。

H7的内部Flash还是非常强劲的，可以70MHz，0延迟，64bit带宽，配合Cache，完全加载GPIO代码无法压力。像F4那种24MHz ，0延迟，32位带宽的内部Flash跑GPIO刷新还能干70MHz。下面这个例子H7就是FMC软件刷新，内部Flash，可以证明我的看法

STM32H7的FMC做纯软件IO输出控制可以输出40MHz方波
http://www.armbbs.cn/forum.php?m ... 1282&fromuid=58
(出处: 硬汉嵌入式论坛)

木兰花

eric2013 发表于 2021-11-18 21:22
在RAM刷不行，因为RAM既要做刷代码，又要刷数据，反倒慢了。

H7的内部Flash还是非常强劲的，可以70MHz ...

eric2013

木兰花 发表于 2021-11-19 10:40

内部RAM刷程序，我用这个帖子测试过，效果差不多

基于STM32H7的内部SRAM程序调试工程模板（512KB的AXI SRAM存程序，DTCM做主RAM）
http://www.armbbs.cn/forum.php?m ... 3112&fromuid=58
(出处: 硬汉嵌入式论坛)

木兰花

eric2013 发表于 2021-11-19 12:44
内部RAM刷程序，我用这个帖子测试过，效果差不多

基于STM32H7的内部SRAM程序调试工程模板（512KB的AXI ...

多谢多谢