三星实现基于MRAM的内存计算设备

eric2013

https://www.tomshardware.com/new ... in-memory-computing
https://www.nature.com/articles/s41586-021-04196-6

MRAM由于其低电阻而无法在此类架构中使用，MRAM对于内存计算具有一些非常有吸引力的特性，即其非易失性，运行速度，耐用性和大规模生产的经济性。

三星研究小组的关键架构创新是测试基于MRAM单元的64×64阵列，"该阵列通过使用电阻求和进行模拟乘法累加运算的架构克服了低电阻问题。





补充：关于MRAM（磁阻式随机存取内存）
一种非易失性内存技术，从1990年代开始发展。这个技术的拥护者认为，这个技术速度接近SRAM，具有快闪存储器的非易失性，容量密度及使用寿命不输DRAM，平均能耗远低于DRAM，成为真正的通用型内存。
相比FRAM铁电，MRAM性能更加强劲，读写速度更快，支持无限次读写，超宽的耐温范围，可实现超过20年的数据记录。

ghslfgkkl88

MRAM要是普及了，整个计算机体系结构都得变，