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[脱机烧录] STM32G031F6P6 烧录变砖问题待跟踪

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发表于 2022-3-14 18:05:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
芯片型号: STM32G031F6P6脱机烧录参数配置正确的话,芯片是可以反复烧录的。客户也没对FLASH做读保护。
  
因为客户烧录参数配置错误,芯片第一次可以正确烧录程序,之后再也无法烧录。
ST-LINK, J-LINK, H7-TOOL均无法识别到 IDCODE。复位线接上也不行。


image.png

image.png
G031比较特殊:
1、PA14/SWCLK-BOOT0 是共用的 (缺省OB配置是BOOT0不起作用)
2、PF2-NRST 是共用的。

估计是应用程序将NRST作用GPIO占用了不起作用,所以UnderReset复位也没反映
BOOT0也不起作用,无法让cpu进入系统ISP程序模式。
之前测试其他型号的031芯片,拉低硬件Reset,至少可以识别到IDCODE。

现在还没找到解决办法。





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发表于 2022-3-14 18:33:29 | 显示全部楼层
不会是设置了level2读保护吧,这个设置后变砖,而且不可逆。

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发表于 2022-3-14 20:09:10 | 显示全部楼层
也有一片 STM32G030F6P6 变砖了,从当时的烧录情况来看,应该是 OB 配置错误了,代码里没有去用到过 CLK DIO RST 几个脚
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 楼主| 发表于 2022-3-18 17:40:57 | 显示全部楼层
ST FAE答复:
如果已经变砖,无法恢复,这是由于STM32G0内部特定的保护机制决定的。
请特别注意整个烧片时间段电源的稳定,如果是有类似手工操作去按烧写头进行供电和烧写是强烈不推荐的。

也就是说烧录中途断电会有一定几率导致G0变砖。
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发表于 2022-3-18 17:50:11 | 显示全部楼层
根据硬件勘误手册,Level1读写保护下,BOOT0的PA14选择引脚会失效,且无解决方案。
这也是变砖的一方面原因,level1读写保护后,系统处于未正常运行状态,如果他没有配置选项字节的nBOOT_SEL  和nBOOT0

image.png


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 楼主| 发表于 2022-3-18 19:32:54 | 显示全部楼层
【STM32G0 脱机烧录 友情提示】
因为STM32G0内部特殊的保护机制。如果在执行读写OB期间(自动解除读保护会写OB)
发生SWD信号接触不良或芯片断电,则芯片有一定概率变砖(无法识别芯片)且无法恢复。

因此需要保证整个烧录时间段内电源的稳定。
不建议手工操作去按烧写头进行供电和烧写。
不建议长按TOOL的S键实现上电自动烧录。

推荐的操作方法为:
1.手工时:探针按下到位后,再按启动烧录键。
2.半自动工装: 程序控制按压头到位后延迟(比如100ms)再启动烧录。
3.研发阶段: 建议主板单独供电,而不是用SWD接口线束供电。

如果你的固件不需要写OB区,不需要设置读保护,建议取消自动解除读写保护的钩,可大幅度降低变砖风险。

【关于SingleBank 和 DaulBank】
同一个型号的芯片有2种烧录算法SingleBank ,区别主要是OB区参数长度不同。
如果固件没有将FLASH划分为双BANK, 或者你不知道,就选择 SingleBank 即可。
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