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[有问必答] mos管搭建的开关自锁电路,上电会导通一瞬间

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发表于 2022-7-26 11:58:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
image.png 自锁电路如图所示
原理如下:

1.上电初始状态:

电路上电后,输入电源Vin经电阻R1,R3对电容C1快速充电至电源电压。MOS管Q1,Q2截止,Vout无输出。

2.开机状态:

当电路需要开机时,按下开关S1,电容C1上的电压加至NMOS管的G极,使Q2迅速饱和导通,Q1栅极电位被拉低至接近0V,Q1也迅速导通并饱和,Vout有电压输出。

此时,Vout经电阻R2,加至NMOS管Q2的栅极,维持Q2的导通,形成自锁回路。此时若S1没有松开,则Vout还会对电容C1充电,不会影响电路的开机状态。

若S1松开,则电容C1通过电阻R3,Q2的DS进行放电至接近0V,为电路关机做准备。

3.关机状态:

电路需要关机时,再次按下开关S1,NMOS管Q2的栅极电位由于电容C1的作用,被拉低至低电平,Q2截止。

Q2截止后,PMOS管的栅极电位上升到高电平,Q1截止,Vout无输出。此时,应松开开关S1,电容C1又经电阻R1,R3开始慢慢充电至接近输入电源电压。恢复至上电初始状态。



但是现在的现象是,上电就导通,VOUT持续有电压,我把Q2 R3都拆掉,观察Q1,发现上电后,VOUT电源指示灯会亮一瞬间,然后熄灭,这说明Q1导通了一瞬间,然后才导致了后面的现象

我后面找了一些资料,怀疑是GS之间的寄生电容在上电初始,需要充电,在这个过程中,VGS的电压<0   所以导致了瞬间的导通现象,这样怀疑对的么?

如果是这样的话,怎么避免这个寄生电容的影响啊




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发表于 2022-7-27 16:30:01 | 显示全部楼层
帮顶下。
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发表于 2022-7-28 09:24:13 | 显示全部楼层
是不是可以考虑吧R1的电阻值降低。看看效果
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发表于 2022-7-30 14:23:45 | 显示全部楼层
这个电路原理决定了上电就会有输出。
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发表于 2022-7-30 14:27:00 | 显示全部楼层
因为:上电时,C1充电,Q1的一极有1/2VIN 你没标VIN早压,但可以确定这个电压是引起Q1导通。VOUT 通过R2 使Q2导通。锁定了Q1导通。上电就通电了。
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发表于 2022-7-30 14:32:20 | 显示全部楼层
改进建议:调整R1与R3 比例,(比例调整方法,去掉Q2,短接C1,调节R1\R3比值,计算Q1的G极电压不导通)就可以解决上电导通问题了。
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发表于 2022-8-30 15:03:43 | 显示全部楼层
按键触发延时可以做吗?
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发表于 2024-1-16 22:02:39 | 显示全部楼层
增大R2提高分压比例解决上电开机的问题,同时在R2上并联二极管加快放电
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发表于 2024-1-16 22:04:38 | 显示全部楼层
在LTspice里面仿真试了一下


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