求助，H7B0程序放在外部flash，gdb无法打断点

sheepy_chan

各位大佬好！
本人在用STM32H7B0调试的时候，boot放在内部flash（0x08000000），启动后OSPI初始化外部flash（W25Q64），并且设置为内存映射模式到 0x90000000，然后跳转到 0x90000000运行；
程序跑起来都没啥问题，但是我用gdb调试的时候，打上断点，就提示这个：

但是我直接读该地址，又是可以读出来的：


随后我不用boot，直接把程序减小（小于128k），烧写到内部flash上，就可以运行并且正常打断点调试。
请问有碰到类似情况的朋友吗？
还有另外再问一下，我看到说H7B0虽然手册上说内部flash为128k，但是实际上有2M，我试过将我的程序（约将近300k）烧写到内部flash上，可以烧写成功，但是程序跑不起来；
请问有大于128k的程序放在内部flash上跑成功的先例么？
谢谢大家！！~~

eric2013

你的外置Flash算法文件应该不支持在外部Flash做程序调试。

支持外部调试，要做好内存映射支持。

zbianbiaos

在外部FLASH初始化完成之后打第一个断点，这时候应该还在内部ROM里面，外部FLASH映射也完成，可以通过总线访问外部FLASH
然后就可以在映射的代码段上打断点了吧
想方便点的话写一个gdbinit文件自动打第一个断点

sheepy_chan

eric2013 发表于 2023-3-22 11:50
你的外置Flash算法文件应该不支持在外部Flash做程序调试。

支持外部调试，要做好内存映射支持。

感谢回复！但是我在keil里调试就可以打上断点，gdb就不行，并且在boot里已经通过HAL库的HAL_OSPI_MemoryMapped开启了内存映射，不然程序也跳不到0x90000000执行。
以上是不是可以理解为映射成功？
还是说gdb需要再次单独映射？

sheepy_chan

zbianbiaos 发表于 2023-3-22 14:26
在外部FLASH初始化完成之后打第一个断点，这时候应该还在内部ROM里面，外部FLASH映射也完成，可以通过总线 ...

我在boot里，映射结束后，跳转到外部flash代码之前，打上了断点，然后在这个断点停下来的时候，在外部flash代码段上打了个断点，然后c，问题还是依旧

eric2013

sheepy_chan 发表于 2023-3-22 15:50
我在boot里，映射结束后，跳转到外部flash代码之前，打上了断点，然后在这个断点停下来的时候，在外部fla ...

你现在的GBD调试用的什么方案，openocd？ 然后又整个那个基于gcc的外部算法？

sheepy_chan

eric2013 发表于 2023-3-23 01:38
你现在的GBD调试用的什么方案，openocd？ 然后又整个那个基于gcc的外部算法？

是openocd，没有基于gcc的外部算法，只有一个keil上用的FLM下载算法，并在boot中开启外部flash的地址映射，没有单独给调试器的外部算法

eric2013

sheepy_chan 发表于 2023-3-23 11:44
是openocd，没有基于gcc的外部算法，只有一个keil上用的FLM下载算法，并在boot中开启外部flash的地址映射 ...

这种玩法没整过。

zhangqi-9278

楼主问题解决吗