GD32H7的EXMC总线问题

可乐狂魔

在调试GD32H7的EXMC总线的时候发现，每一次的读/写命令都会自动生成16次的NE、NOE/NWE的下拉，相当于进行了16次的读写。EXMC总线配置成NOR_SRAM模式，该配置与在STM32H7及GD32F407下都能正常的执行，但是换到了GD32H7芯片就出现了这种情况？想问一下大家在STM32H7上有没有遇到类似的情况？还是说这个就是GD32H7芯片的BUG?
而且在使用GD提供的官方SRAM例程的时候发现，每次对SRAM的操作，当第一次对地址操作时，会生成16次读写过程，后面15次的地址操作就无波形产生；当第十七次对地址操作时，又生成了16次读写过程。似乎总线设定了每次的读写操作最少为16次？？？

eric2013

有，必须配置MPU属性为Strongly order或者Device模式。

可乐狂魔

eric2013 发表于 2024-1-23 08:58
有，必须配置MPU属性为Strongly order或者Device模式。

好的，我试试看！

可乐狂魔

eric2013 发表于 2024-1-23 08:58
有，必须配置MPU属性为Strongly order或者Device模式。

配置好了就正常了，感谢大佬！！！目前GD32H7跟MPU相关的资料都没法找到，想请问STM32H7中MPU相关的资料从哪里可以找到？

eric2013

可乐狂魔 发表于 2024-1-23 09:42
配置好了就正常了，感谢大佬！！！目前GD32H7跟MPU相关的资料都没法找到，想请问STM32H7中MPU相关的资料 ...

MPU Cache专题：

13、视频教程第13期：系统讲解Cortex-M7内核MPU和Cache，理解通透(2022-04-17)
https://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=111956

14、视频教程第14期：超干货，MPU和Cache实战，一张图了解所有经典配置案例，争取人人都可以玩溜（2022-05-08）
https://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=112268