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【模拟电路专题】——二极管原理

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发表于 2013-6-22 20:08:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
二极管原理
(1)本征半导体:一种完全纯净的,完整的半导体晶体
          P型半导体 :在硅或锗中掺入少量三价元素杂质
          N型半导体 :在硅或着中掺入施主杂质或者N型杂质,比如磷等。
(2)P型半导体中空穴多而电子少,N型半导体中电子多而空穴少。
          当P型半导体和N型半导体结合的时候,由于扩散运动,会在交界的地方形成一个很薄的电荷区,
          也就是PN结,如下图所示
          1.png
          由上图可看出,扩散运动后会形成一个电场,这个电场促使N区的少数载流子空穴向P区移动,
          P区的少数载流子电子向N区移动,漂移运动的方向正好和扩散运动的方向相反,逐渐达到平衡
(3)外加正向偏置电压:增强扩散运动,减弱漂移运动,表现为一个很小的电阻
          外加反向偏置电压:增强漂移运动,减弱扩散运行,表现为一个很大的电阻
(4)电击穿:齐纳击穿和雪崩击穿都是可恢复的,稳压管就是利用的这种特性
          热击穿: 热击穿是不可恢复的。
2.png
3.png
   
   
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