浅谈STM32H7修订版提升的80MHz时钟

eric2013

经过晚上的一些小测试，简单的总结下：

H7提升的80MHz，应该是之前H7预留的冗余速度，所以早期的Y版也可以正常使用，不过仅仅是内核可以提升速度（最高可以550MHz）。

外设还是老样子，仅可以稍微提升一丢丢（以32位SDRAM为例，从100MHz，可以提到120MHz，再高不行），基本上的总结就是这个样子了。

新的硬件版本提升速度后，功耗会加大，从而多了个VOS0模式来提升供电电压。





以例子：V7-023_外设32位带宽SDRAM性能测试（写每秒376MB，读每秒189MB） 为例，将其配置到480MHz

仅需修改下面两个地方（未设置VOS0）




效果（方式二还是按照400MHz算的，未做修改）：

ou513

还是提升了一丢丢

myxiaonia

为什么读写性能差一倍

飞行少年

不知道Y版设置到480M后长时间运行稳定不

eric2013

myxiaonia 发表于 2019-4-19 09:35
为什么读写性能差一倍

STM32控制SDRAM的确是这样的，估计CL参数对读速度影响较大。

eric2013

飞行少年 发表于 2019-4-19 09:44
不知道Y版设置到480M后长时间运行稳定不

要加大内核供电电压才稳

missfox

可以看下我的这个错误反馈帖子
http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=93332&extra=page%3D1

myxiaonia

eric2013 发表于 2019-4-19 11:46
STM32控制SDRAM的确是这样的，估计CL参数对读速度影响较大。

读比写慢有点不可思议，有没有可能是cache造成的

eric2013

myxiaonia 发表于 2019-4-19 16:08
读比写慢有点不可思议，有没有可能是cache造成的

关闭Cache测试过，一样的
http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=91481

F429也是这样的
http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=16836

进一步分析的话，SDRAM的读操作是放电，放电后，根据情况要重新充电，这块应该也是耗时间的点（就是所谓的预充电）。而写操作是充电
这个文件的下面部分介绍的比较详细
http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=1930